武汉新芯集成电路股份有限公司朱新月获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉新芯集成电路股份有限公司申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119381380B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411525662.0，技术领域涉及：H10W20/43；该发明授权半导体器件及其制造方法是由朱新月;朱奎;徐瑞璋设计研发完成，并于2024-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，半导体器件包括：衬底；层间介质层，形成于所述衬底上；金属互连结构，形成于所述层间介质层中，所述金属互连结构包括两层金属层和通孔插塞，每层所述金属层包括至少一条金属线，每条所述金属线包括多段子金属线，相邻层的所述金属线中的所述子金属线之间错开排列，相邻层的所述金属线中的所述子金属线之间通过所述通孔插塞电连接。本发明的技术方案使得能够明显降低半导体器件的寄生电容。
本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 衬底； 浅沟槽隔离结构，形成于所述衬底中，所述浅沟槽隔离结构限定出有源区； 栅极结构，形成于所述有源区上； 源极区、漏极区和体接触区，形成于所述有源区中； 层间介质层，形成于所述衬底上； 金属互连结构，形成于所述层间介质层中，所述金属互连结构包括两层金属层和通孔插塞，每层所述金属层包括至少一条金属线，每条所述金属线包括多段子金属线，相邻层的所述金属线中的所述子金属线之间错开排列，相邻层的所述金属线中的所述子金属线之间通过所述通孔插塞电连接； 其中，所述金属互连结构包括第一金属层和第二金属层，其中所述第二金属层还包括金属块，所述半导体器件还包括与所述第一金属层位于同一层的连接层，每一所述金属块连接所述源极区或所述漏极区，每一所述连接层连接所述栅极结构或所述体接触区，所述连接层在垂直于所述衬底表面方向上的投影与所述金属块在垂直于所述衬底表面方向上的投影错开。
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