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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司申请的专利阵列基板以及液晶显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119414635B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411179603.2，技术领域涉及：G02F1/1362；该发明授权阵列基板以及液晶显示装置是由毕洪生;张冬华;周康迪;武志恺;孙自起;高锦;翟学勇;薛鑫;许星;张勇;金红贵;葛杨;唐亮珍;石磊;王玮东;吴昊明;王先;张武霖设计研发完成，并于2024-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本阵列基板以及液晶显示装置在说明书摘要公布了：本公开提供了一种阵列基板以及液晶显示装置，属于显示技术领域，阵列基板，包括多个子像素单元，所述子像素单元包括：衬底、薄膜晶体管、像素电极以及公共电极，薄膜晶体管包括有源层，有源层包括沟道区；像素电极与薄膜晶体管的第一电极连接，并包括多个电极条，电极条的至少一端包括至少一个第一拐角；公共电极位于像素电极靠近衬底的一侧，公共电极在衬底上的正投影与像素电极在衬底上的正投影交叠；其中，至少一个子像素单元中的公共电极包括至少一个第二拐角，第二拐角在衬底上的正投影位于电极条中第一拐角所在的区域在衬底上的正投影内；以及，至少一个子像素单元还包括遮挡层，遮挡层在衬底上的正投影覆盖沟道区在衬底上的正投影。

本发明授权阵列基板以及液晶显示装置在权利要求书中公布了：1.一种阵列基板，其特征在于，包括多个子像素单元，所述子像素单元包括： 衬底； 薄膜晶体管，位于所述衬底上，并包括有源层，所述有源层包括沟道区； 像素电极，包括多个电极条，所述电极条的至少一端包括至少一个第一拐角；以及， 公共电极，位于所述像素电极靠近所述衬底的一侧，所述公共电极在所述衬底上的正投影与所述像素电极在所述衬底上的正投影交叠； 其中，至少一个所述子像素单元中的所述公共电极包括至少一个第二拐角，所述第二拐角在所述衬底上的正投影位于所述电极条中所述第一拐角所在的区域在所述衬底上的正投影内； 以及，至少一个所述子像素单元还包括遮挡层，所述遮挡层在衬底上的正投影至少覆盖所述沟道区在所述衬底上的正投影； 所述第一拐角的角度与所述第二拐角的角度相同； 所述电极条包括相对的第一端和第二端，所述第一拐角位于所述第一端； 其中，所述第一拐角的顶点在所述衬底上的正投影至所述第二端在所述衬底上的正投影之间的第一垂直距离，大于或等于所述第二拐角的顶点在所述衬底上的正投影到所述第二端在所述衬底上的正投影之间的第二垂直距离； 所述第一垂直距离大于所述第二垂直距离，其中，所述第二拐角的顶点位于所述第一拐角的顶点的反向延长线处。

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