西安交通大学吴凯获国家专利权
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龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利一种高延展性和抗疲劳性的Ag-Mo/Ag薄膜及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119506805B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411654451.7，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权一种高延展性和抗疲劳性的Ag-Mo/Ag薄膜及制备方法是由吴凯;夏赟;王亚强;张金钰;刘刚;孙军设计研发完成，并于2024-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高延展性和抗疲劳性的Ag-Mo/Ag薄膜及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高延展性和抗疲劳性的Ag‑MoAg薄膜及制备方法，属于材料表面改性领域，该Ag‑MoAg薄膜包括单质Ag层和微合金化Ag‑Mo层，微合金化Ag‑Mo层附着在单质Ag层表面；所述微合金化Ag‑Mo层和单质Ag层的厚度比例为1:9‑1:1；所述单质Ag层和微合金化Ag‑Mo层的晶粒形貌为柱状晶；该Ag‑MoAg薄膜通过共溅射的方式在单质Ag表面引入高密度纳米孪晶的微合金化Ag‑Mo层，制备出了均匀致密、膜基结合力强的具有高延展性和抗疲劳性的Ag‑MoAg薄膜；该薄膜的应用有望显著提升柔性电子设备的性能和可靠性，为柔性电子技术的发展开辟了新的可能性。
本发明授权一种高延展性和抗疲劳性的Ag-Mo/Ag薄膜及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高延展性和抗疲劳性的Ag-MoAg薄膜，其特征在于，包括单质Ag层和微合金化Ag-Mo层，微合金化Ag-Mo层附着在单质Ag层表面；所述微合金化Ag-Mo层和单质Ag层的厚度比例为1:9-1:1，且所述微合金化Ag-Mo层的厚度为100nm或200nm； 所述单质Ag层和微合金化Ag-Mo层的晶粒形貌为柱状晶，单质Ag层的柱状晶中含孪晶晶粒占比为30-40%，Ag-Mo层的柱状晶中含孪晶晶粒占比为100%。
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