中国科学院半导体研究所郑婉华获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利一种表面光栅面发射激光器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119581998B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411653953.8，技术领域涉及：H01S5/18；该发明授权一种表面光栅面发射激光器是由郑婉华;季海洋;王宇飞;齐爱谊;王学友;傅廷;陈静瑄;戴迎秋设计研发完成，并于2024-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种表面光栅面发射激光器在说明书摘要公布了：本发明提供一种表面光栅面发射激光器，包括：N面金属电极层；在N面金属电极层上依次叠置N面波导层、有源层、P面波导层与脊波导层，其中脊波导层包括增益区与损耗区；P面金属电极层设置在脊波导层的增益区上；P面二氧化硅层设置在脊波导层的损耗区上。该激光器通过PT对称破缺后模场分别分布在损耗区和增益区的特点，使得光场通过损耗区的表面光栅的垂直衍射耦合实现面上出光，不同于常见的纵向全部刻蚀光栅、两侧制作电极的激光器结构。通过PT对称制造模式增益差，消除双瓣，稳定单模，无需引入λ4相移，降低了工艺难度。
本发明授权一种表面光栅面发射激光器在权利要求书中公布了：1.一种表面光栅面发射激光器，其特征在于，包括： N面金属电极层1； 在所述N面金属电极层1上依次叠置N面波导层2、有源层3、P面波导层4与脊波导层5，其中所述脊波导层5包括增益区与损耗区； P面金属电极层6，设置在所述脊波导层5的增益区上； P面二氧化硅层7，设置在所述脊波导层5的损耗区上； 所述脊波导层5包括多个增益区与损耗区，所述多个增益区与损耗区沿第一方向交替排列布设； 在沿第一方向上，所述损耗区的长度与增益区的长度相同； 所述损耗区包括表面光栅51，所述表面光栅51为在所述损耗区内沿所述第一方向排列的周期性刻槽结构； 所述P面金属电极层6包括多个P面金属电极，以用于注入电流至所述增益区；以及 有电流注入的增益区与无电流注入的损耗区沿第一方向形成准PT对称的复折射率分布并通过所述表面光栅51的垂直衍射实现面发射。
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