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龙图腾网获悉中国振华(集团)新云电子元器件有限责任公司(国营第四三二六厂)申请的专利一种降低钽电容量衰减的电容器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119811900B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510017545.1，技术领域涉及：H01G9/00；该发明授权一种降低钽电容量衰减的电容器及其制备方法是由吴疆;艾文娟;石洪富;张麟;蒙林斌;李伟设计研发完成，并于2025-01-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种降低钽电容量衰减的电容器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种降低钽电容量衰减的电容器及其制备方法，包括以下步骤：将钽粉制备成钽块；对钽块进行烧结；对钽块进行形成工艺，得到具备介质氧化膜的钽芯；对具备介质氧化膜的钽芯进行浸渍处理，然后进行钽芯封装；再对封装钽芯老炼老化后完成电容器的制备。本发明的形成工艺中采用梯度升压形成方法，提高钽芯的形成电压倍率，得到具有良好性能的Ta2O5介质氧化膜；装配时在工作电解液里添加极化剂，抑制产品内部氢气的产生，降低电容器内部气压释放，稳定容量；再通过老炼老化工艺方法的调整，从而制造出高电压、更大容量的非固体电解质钽电容器。

本发明授权一种降低钽电容量衰减的电容器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种降低钽电容量衰减电容器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1：将钽粉制备成钽块； S2：对钽块进行烧结； S3：对钽块进行形成工艺，得到具备介质氧化膜的钽芯； S4：对具备介质氧化膜的钽芯进行浸渍处理，然后进行钽芯封装； S5：再对封装钽芯老炼老化后完成电容器的制备； 所述步骤S2中烧结温度采用1500-1700℃，到温后保持30-50min，冷却到30℃后取炉，确保烧结后钽芯钽粉比容在13500-15500μFVg； 所述步骤S3中形成工艺为电压段升压形成，步骤依次包括：成形步骤A、成形步骤B、热处理、补形成和煮洗； 形成工艺所用形成液为磷酸乙二醇，所述成形步骤A包括：在温度86-89℃下浸泡，浸泡时间：不带电浸泡1-3h，施加3V电压下浸泡0.5-2h； 所述成形步骤B包括：在电流密度依次为：0-60V，0.08nCV100mA；60-90V，0.06nCV100mA；90-142V，0.04nCV100mA下，每个阶段恒压4-9h； 所述热处理包括：在300-400℃下保持20-45min； 所述补形成步骤包括：在75-85V下恒压10-40min；在86-95V下恒压10-40min；在96-105V下恒压10-40min；106-115V下恒压10-40min；在116-125V下恒压10-40min；在126-135V下恒压10-40min；在136-145V下恒压10-40min。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国振华(集团)新云电子元器件有限责任公司(国营第四三二六厂)，其通讯地址为：550000 贵州省贵阳市乌当区新添大道北段232号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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