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龙图腾网获悉上海新微半导体有限公司申请的专利一种半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119835959B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411953092.5，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种半导体器件及其制备方法是由牛科研;雷嘉成;郭德霄设计研发完成，并于2024-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，该制备方法包括提供一半导体层，于半导体层的势垒层上形成栅极帽层，形成栅介质层，于栅介质层上形成第一场板，第一场板对应覆盖栅极帽层并沿栅极帽层的一侧的边缘延伸，第一场板对应栅极帽层的区域上形成有场板孔。形成源极金属及漏极金属，在水平方向上，第一场板位于源极金属与漏极金属之间，第一场板向漏极金属方向延伸并覆盖于栅极帽层靠近漏极金属的边缘的上方。形成栅极接触孔，栅极接触孔的开口尺寸小于场板孔的开口尺寸，以形成嵌套孔结构。由此，本发明能够避免栅极与漏极之间的电场强度较大导致的击穿现象，同时简化制备工艺，缩短制备流程，提高器件的可靠性及良率。

本发明授权一种半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括： 提供一半导体层，所述半导体层包括沟道层和势垒层； 于所述势垒层上形成栅极帽层，所述栅极帽层覆盖所述势垒层的部分区域； 于所述栅极帽层及所述势垒层上形成栅介质层； 于所述栅介质层上形成第一场板，所述第一场板对应覆盖所述栅极帽层并沿所述栅极帽层的一侧的边缘延伸，所述第一场板对应所述栅极帽层的区域上形成有场板孔； 形成源极金属及漏极金属，所述源极金属及所述漏极金属均贯穿所述栅介质层并与所述势垒层连接；在水平方向上，所述第一场板位于所述源极金属与所述漏极金属之间，所述第一场板向所述漏极金属方向延伸并覆盖于所述栅极帽层靠近所述漏极金属的边缘的上方； 形成栅极接触孔，所述栅极接触孔自所述第一场板的上方对应所述场板孔向下延伸至暴露所述栅极帽层，所述栅极接触孔的开口尺寸小于所述场板孔的开口尺寸，所述栅极接触孔的边界与所述场板孔的边界不重合以形成嵌套孔结构； 于所述栅极接触孔内形成栅极金属，所述栅极金属通过所述栅极接触孔与所述栅极帽层连接。

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