山东大学穆文祥获国家专利权
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龙图腾网获悉山东大学申请的专利一种提拉法生长LSGM单晶的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120400975B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510532592.X，技术领域涉及：C30B15/00；该发明授权一种提拉法生长LSGM单晶的方法是由穆文祥;张坤;王佩设计研发完成，并于2025-04-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种提拉法生长LSGM单晶的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种提拉法生长LSGM单晶的方法，属于单晶生长技术领域。本发明提供的方法包括如下步骤：将La2O3、SrCO3、Ga2O3和MgO按照质量比为60.5～62.0:2.5～3.5:36.2～38.2:0.6～1.2进行配料，混合后压制，然后进行固相烧结，得到LSGM胚料；然后采用提拉法进行LSGM单晶的生长；所述生长过程中所采用的气氛为氧气、二氧化碳和氮气的混合气氛，氧气、二氧化碳和氮气的体积比为0.5～2:65～75:25～35。本发明有效克服了提拉法生长LSGM单晶过程中Ga2O3的挥发、分解问题，可生长出满足衬底要求的高质量LSGM单晶。
本发明授权一种提拉法生长LSGM单晶的方法在权利要求书中公布了：1.一种提拉法生长LSGM单晶的方法，其特征在于，包括如下步骤： 将La2O3、SrCO3、Ga2O3和MgO按照质量比为60.5～62.0:2.5～3.5:36.2～38.2:0.6～1.2进行配料，混合后压制，然后进行固相烧结，得到LSGM胚料； 然后采用提拉法进行LSGM单晶的生长；所述生长过程中所采用的气氛为氧气、二氧化碳和氮气的混合气氛，氧气、二氧化碳和氮气的体积比为0.5～2:65～75:25～35。
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