东莞市爱矽电子有限公司张闯获国家专利权
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龙图腾网获悉东莞市爱矽电子有限公司申请的专利一种多层复合抗氧化铜箔及其制造工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120534028B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510864871.6，技术领域涉及：B32B15/20；该发明授权一种多层复合抗氧化铜箔及其制造工艺是由张闯;潘锦钊;徐刚;王正强设计研发完成，并于2025-06-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种多层复合抗氧化铜箔及其制造工艺在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体晶片材料技术领域，且公开了一种多层复合抗氧化铜箔及其制造工艺，由内至外依次包括基层、缓冲层、抗氧化层和防护层；所述基层为高纯度电解铜，纯度不低于99.99％，厚度为10～50μm；所述缓冲层为氮掺杂石墨烯@碳纳米管核‑壳结构包覆的镍‑磷合金，厚度为0.5～2μm；所述抗氧化功能层为纳米级氧化铜@沸石咪唑酯骨架结构材料‑8核壳结构，纳米级氧化铜颗粒平均粒径为5～50nm；所述防护层为聚对二甲苯薄膜，厚度为0.1～0.5μm。各功能层紧密结合、相互配合，缓冲层缓解热应力，为抗氧化层和防护层提供稳定支撑，这种多层复合结构实现性能的叠加与优化，满足电子器件等领域对铜箔高性能、长寿命的需求。
本发明授权一种多层复合抗氧化铜箔及其制造工艺在权利要求书中公布了：1.一种多层复合抗氧化铜箔，其特征在于，由内至外依次包括基层、缓冲层、抗氧化层和防护层；所述基层为高纯度电解铜，纯度不低于99.99％，厚度为10～50μm；所述缓冲层为氮掺杂石墨烯@碳纳米管核-壳结构包覆的镍-磷合金，厚度为0.5～2μm；所述抗氧化功能层为纳米级氧化铜@沸石咪唑酯骨架结构材料-8核壳结构，纳米级氧化铜颗粒平均粒径为5～50nm；所述防护层为聚对二甲苯薄膜，厚度为0.1～0.5μm。
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