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龙图腾网获悉北京航空航天大学申请的专利一种三维螺旋的可变薄膜电感及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120613207B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511120294.6，技术领域涉及：H01F21/12；该发明授权一种三维螺旋的可变薄膜电感及制备方法是由徐惠彬;王方方;高明;张虎设计研发完成，并于2025-08-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种三维螺旋的可变薄膜电感及制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于薄膜电感技术与磁控溅射技术领域，具体是涉及一种三维螺旋的可变薄膜电感及制备方法，电感包括跑道型磁芯，磁芯包括对向设置的第一长臂和第二长臂，对向设置的第一短臂和第二短臂，设置于第一长臂上的多个第一螺旋线圈，设置于第二长臂上的多个第二螺旋线圈；每个第一螺旋线圈两端设置有触点，相邻的第一螺旋线圈通过位于两者中间的共用触点串联连接，每个第二螺旋线圈两端设置有触点，相邻的第二螺旋线圈通过位于两者中间的共用触点串联连接；磁芯为高熵合金磁芯，高熵合金成分包括Zr和或B、Fe、Co、Ni，本发明通过触点能够为每个线圈单独供电，或对多个线圈的组合供电，具有更强的设计和应用的灵活性。

本发明授权一种三维螺旋的可变薄膜电感及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种三维螺旋的可变薄膜电感，其特征在于，包括跑道型磁芯，所述跑道型磁芯包括对向设置的第一长臂和第二长臂，对向设置的第一短臂和第二短臂，设置于第一长臂上的多个第一螺旋线圈，设置于第二长臂上的多个第二螺旋线圈；每个第一螺旋线圈两端设置有触点，相邻的第一螺旋线圈通过位于两者中间的共用触点串联连接，每个第二螺旋线圈两端设置有触点，相邻的第二螺旋线圈通过位于两者中间的共用触点串联连接； 通过切换三维螺旋的可变薄膜电感的触点，选择不同抽头，调整电感的有效匝数，从而控制电感值，实现多电感需求应用； 所述跑道型磁芯为高熵合金磁芯，所述高熵合金的成分包括Fe、Co、Ni，以及Zr和或B元素； 所述高熵合金的各成分含量通过高通量筛选成分设计方法确定，包括： 多成分梯度薄膜溅射：利用磁控溅射工艺，控制腔室气氛条件，通过磁控溅射将高熵合金靶材的各成分元素沉积在各基底表面，得到多个具有不同成分含量的薄膜样品； 各成分元素的含量预设范围为： 1Zr：10.5~14.2at%，Fe：21.7~50.5at%，Co：16.4~53.4at%，Ni：12.3~22.1at%；或 2B：7.5~12.1at%，Fe：20.3~54.5at%，Co：13.5~58.5at%，Ni：11.2~22.5at%；或 3B：4.6~8.8at%，Zr：2.7~6.5at%，Fe：20.3~54.5at%，Co：13.5~58.5at%，Ni：11.2~22.5at%； 采用高纯Fe、高纯Co、高纯Ni、高纯M靶材，并均匀放置于腔室的四个位置，其中M靶材为Zr靶材，或B靶材，或Zr和B的混合靶材； 以Fe成分作为基准，确定Fe靶材的基准溅射功率及该功率下Fe的脱附速度，随后针对其他成分选择对应功率，使其在对应溅射功率下的脱附速度符合： 式中：为成分在所选择的对应功率下的脱附速度，为Fe成分在基准溅射功率下的脱附速度，为成分在含量预设范围内的最小原子百分比含量，为成分在预设范围内的最大原子百分比含量，为Fe在预设范围内的最小原子百分比含量，为Fe在预设范围内的最大原子百分比含量；M为Zr靶材或B靶材时，M成分原子百分含量最大和最小值分别为Zr和B元素的原子百分含量最大最小值，当M为ZrB混合靶材时，M成分的原子百分含量最大值为Zr和B元素原子百分含量最大值之和，M成分原子百分含量最小值为Zr和B元素原子百分含量最小值之和； 确定样品的摆放参数：水平间距、垂直间距和数量；选择Fe靶材和M靶材，分别在不同的水平间距、垂直间距和样品数量条件下，测定其在距离其最近处样品的沉积速率和最远处样品的沉积速率，并统计其衰减程度，采用多元线性回归获得衰减程度与样品水平间距、垂直间距和样品数量的关系，其中，M为Zr靶材和B靶材时，分别统计Zr和B元素的沉积速率并对应分析，当为ZrB混合靶材时，统计两种元素的总沉积速率并分析；根据获得的关系，选择对应的样品间距和数量，使： 式中，为Fe成分与M成分在预设范围内的原子百分含量比值的最大值，为高通量测试中，M成分与Fe成分在预设范围内的原子百分含量比值的最大值，M为Zr靶材和B靶材时，M成分原子百分含量最大最小值分别为Zr和B元素的原子百分含量最大最小值，当为ZrB混合靶材时，M成分原子百分含量最大值为Zr和B元素原子百分含量最大值之和，M成分原子百分含量最小值为Zr和B元素原子百分含量最小值之和；为距离Fe靶材最近的样品上Fe原子的沉积速率，为距离Fe靶材最远的样品上Fe原子的沉积速率；为距离M靶材最近的样品上M原子的沉积速率，为距离M靶材最远的样品上M原子的沉积速率； 对得到的多个薄膜样品进行测试，根据饱和磁化强度、矫顽力、电阻率性能要求，筛选得到高熵合金的各组成元素具体含量。

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