买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉珠海格力电子元器件有限公司申请的专利半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120711790B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511199568.5，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体器件及其制备方法是由刘浩文;马万里;闫正坤;谭键文;肖帅设计研发完成，并于2025-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括：衬底及其外延层，外延层具有第一表面；多个第一注入区沿第一方向间隔的位于外延层中，第一注入区为对部分第一表面进行离子注入形成的区域，相邻第一注入区之间的外延层设定为第一区域，位于第一区域背离第一表面的一侧的外延层为第一子外延层，第一区域与第一子外延层上下接触，第一入区具有第二掺杂类型；至少一个第二注入区位于第一子外延层中，第二注入区在第一表面上的投影与第一区域在第一表面上的投影至少部分重叠，第二注入区具有第二掺杂类型；阳极金属层，覆盖第一表面；阴极金属层覆盖背离第一表面的衬底的第二表面，解决了半导体器件的开关速度和抗浪涌能力无法兼顾的问题。

本发明授权半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 衬底及其外延层，所述外延层具有第一表面，所述衬底和所述外延层具有第一掺杂类型； 多个第一注入区，沿第一方向间隔的位于所述外延层中，所述第一注入区沿第二方向延伸，所述第一注入区为对部分所述第一表面进行离子注入形成的区域，相邻所述第一注入区之间的所述外延层设定为第一区域，位于所述第一区域背离所述第一表面的一侧的所述外延层为第一子外延层，所述第一区域与所述第一子外延层上下接触，所述第一方向与所述第二方向均垂直于器件的厚度方向、且所述第一方向与所述第二方向之间具有夹角，所述第一注入区具有第二掺杂类型； 多个第二注入区，沿所述第一方向和所述第二方向阵列分布于所述第一子外延层中，位于相邻行中的所述第二注入区之间交错分布，所述行的方向为所述第一方向，所述第二注入区在所述第一表面上的投影与所述第一区域在所述第一表面上的投影至少部分重叠，所述第二注入区具有所述第二掺杂类型，每个所述第二注入区在所述第一表面上的投影与两个所述第一注入区在所述第一表面上的投影具有部分交叠； 阳极金属层，覆盖所述第一表面； 阴极金属层，覆盖背离所述第一表面的衬底的第二表面。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人珠海格力电子元器件有限公司，其通讯地址为：519085 广东省珠海市高新区唐家湾镇金唐路1号港湾1号科创园24栋C区1层428室(集中办公区)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。