北京集成电路装备创新中心有限公司马瑞获国家专利权
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龙图腾网获悉北京集成电路装备创新中心有限公司申请的专利薄膜沉积方法及半导体工艺设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120719286B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510935236.2，技术领域涉及：C23C16/505；该发明授权薄膜沉积方法及半导体工艺设备是由马瑞;刘达设计研发完成，并于2025-07-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本薄膜沉积方法及半导体工艺设备在说明书摘要公布了：本发明提供一种薄膜沉积方法及半导体工艺设备，涉及半导体技术领域。该薄膜沉积方法包括：沉积步，对基底执行预设的等离子体增强化学气相沉积工艺后，关闭高频射频功率，保持开启低频射频功率，并停止通入硅源气体；修复步，提升低频射频功率运行预设时长后，关闭低频射频功率。该薄膜沉积方法的修复步，在当前低频射频功率的基础上，将其提升至目标功率，能够有效分解当前薄膜上的颗粒物，以及有效分解工艺腔体内悬浮的颗粒物，从而减少薄膜中的颗粒物数目，减少薄膜颗粒缺陷，实现对薄膜表面形貌的精确调控，显著降低薄膜表面粗糙度，提高薄膜表面平整度和均匀性，进而确保后续加工得到成品的电性和良率。
本发明授权薄膜沉积方法及半导体工艺设备在权利要求书中公布了：1.一种薄膜沉积方法，其特征在于，包括： 沉积步，对基底执行预设的等离子体增强化学气相沉积工艺后，关闭高频射频功率，保持开启低频射频功率，并停止通入硅源气体，以停止沉积反应的继续进行； 修复步，提升低频射频功率运行预设时长后，关闭低频射频功率；并且，提升低频射频功率的同时或之前，控制腔室压力呈阶梯式下降至目标压力。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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