东莞市海默生电子有限公司陈永江获国家专利权
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龙图腾网获悉东莞市海默生电子有限公司申请的专利一种信号PIN的成型工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120879301B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511027758.9，技术领域涉及：H01R43/16；该发明授权一种信号PIN的成型工艺是由陈永江;岳杰;金培安;唐洪平设计研发完成，并于2025-07-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种信号PIN的成型工艺在说明书摘要公布了：本申请涉及金属成型及表面处理领域，尤其是涉及一种信号PIN的成型工艺，其包括将铜质原料冷镦成型为长方体信号PIN坯体，在坯体五个非电镀面涂覆含梯度固化工艺的隔离药水并保留目标电镀面，对目标电镀面实施选择性电镀处理，然后通过两个激光工位分别清除相应面的药水覆膜后完成封装，同时还涉及药水涂覆、电镀处理、激光清除等各步骤的参数关联、工艺参数关联矩阵构建、闭环质量控制系统设置、跨工序参数协同优化以及工艺知识库更新机制等内容。本申请达到了确保涂层结构强度与镀层沉积速率协同、保障表面活化效果与产线节拍动态适配、能将质量偏差追溯至具体工序节点，并可实现对工艺持续优化等技术效果。
本发明授权一种信号PIN的成型工艺在权利要求书中公布了：1.一种信号PIN的成型工艺，其特征在于，包括以下步骤：S1：铜质原料冷镦成型为长方体信号PIN坯体；S2：在坯体五个非电镀面涂覆隔离药水，保留目标电镀面；S3：对目标电镀面实施选择性电镀处理；S4：水平输送电镀坯体至第一激光工位，三轴联动激光头同步清除顶面及左右侧面药水覆膜；S5：输送至第二激光工位，双轴联动激光头清除前后面药水覆膜后完成封装； 所述步骤S4激光清除参数与电镀层厚度关联，包括：S41：建立镀层厚度δ与激光功率P的映射关系：P=0.8δ+12，其单位为W；S42：根据实时检测的δ值动态调整激光焦点直径；S43：清除后表面粗糙度Ra≤0.6μm； 涂覆层孔隙率与激光清除效率形成反馈，包括：A1：孔隙率＞35%时启动高功率粗清除模式；A2：孔隙率20-35%时启用分级清除策略；A3：孔隙率＜20%时触发涂覆参数优化指令。
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