合肥晶合集成电路股份有限公司陶磊获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体器件的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120957509B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511460802.5，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权半导体器件的制备方法是由陶磊;李霄设计研发完成，并于2025-10-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件的制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种半导体器件的制备方法，包括提供衬底，衬底的第一表面上形成有若干间隔排布的功能结构；在衬底的第一表面及功能结构上形成介质层，介质层的顶面具有间隔排布的凸起部和凹陷部；在凹陷部内形成无定形硅层，无定形硅层顺形覆盖凹陷部的内壁；将无定形硅层氧化以形成氧化硅层，氧化硅层填充凹陷部；对氧化硅层及介质层的顶面进行研磨，以使氧化硅层及介质层的顶面平坦化。本申请通过在凹陷部内形成无定形硅层，并将无定形硅层氧化，由于无定形硅层氧化时体积会增加，使得形成的氧化硅层可以填充凹陷部，使得功能结构的顶角处覆盖的膜层增厚，避免后续对氧化硅层及介质层的顶面进行研磨时功能结构裸露的问题。
本发明授权半导体器件的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底的第一表面上形成有若干间隔排布的功能结构； 在所述衬底的第一表面及所述功能结构上形成介质层，所述介质层的顶面具有间隔排布的凸起部和凹陷部； 在所述凹陷部内形成无定形硅层，所述无定形硅层顺形覆盖所述凹陷部的内壁； 将所述无定形硅层氧化以形成氧化硅层，所述氧化硅层填充所述凹陷部；以及， 对所述氧化硅层及所述介质层的顶面进行研磨，以使所述氧化硅层及所述介质层的顶面平坦化； 在所述凹陷部内形成所述无定形硅层的步骤包括： 在所述介质层上形成所述无定形硅层，所述无定形硅层顺形覆盖所述介质层的顶面；以及， 对所述无定形硅层的顶面进行研磨，直至去除所述凸起部顶面的所述无定形硅层。
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