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龙图腾网获悉西湖大学申请的专利一种单晶氧化铌忆阻器神经元器件及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121001558B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511108984.X，技术领域涉及：H10N70/00；该发明授权一种单晶氧化铌忆阻器神经元器件及其制备方法和应用是由朱博文;杨尧;葛恺鑫;刘国磊;陈伊靖设计研发完成，并于2025-08-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种单晶氧化铌忆阻器神经元器件及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明涉及一种单晶氧化铌忆阻器神经元器件及其制备方法和应用，属于忆阻器技术领域。该单晶氧化铌忆阻器神经元器件，从下至上依次设置有衬底、底电极层、阻变层和顶电极层；所述阻变层为单晶二氧化铌层，所述单晶二氧化铌层中铌原子和氧原子的个数比为15‑20：25‑30。本发明通过优化溅射工艺控制非晶NbOx中铌原子和氧原子的比例，通过加电压形成导带细丝后，成功制备出单晶氧化铌忆阻器。该单晶氧化铌忆阻器神经元器件具有优异的阈值开关特性和高稳定性，为深入研究氧化铌忆阻器的相变机理及神经网络应用提供重要支撑。

本发明授权一种单晶氧化铌忆阻器神经元器件及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种单晶氧化铌忆阻器神经元器件的制备方法，其特征在于，单晶氧化铌忆阻器神经元器件从下至上依次设置有衬底、底电极层、阻变层和顶电极层；所述阻变层为单晶二氧化铌层，所述单晶二氧化铌层中铌原子和氧原子的个数比为15-20：25-30； 单晶氧化铌忆阻器神经元器件的制备方法包括以下步骤： S1：底电极层制备：清洗衬底，在清洗后的衬底上进行第一次图案化处理，随后分别蒸镀钛金属和铂金属形成底电极层，剥离光刻胶，在底电极上进行第二次图案化处理； S2：靶材预处理：在氧气和氩气混合气体下，利用磁控溅射工艺优化二氧化铌靶材的组分； S3：阻变层制备：使用S2中优化后的二氧化铌靶材，在纯氩气气氛下在第二次图案化处理后的底电极层上进行磁控溅射沉积非晶二氧化铌得到阻变层； S4：顶电极层制备：剥离光刻胶，在阻变层上进行第三次图案化处理，随后分别蒸镀钛金属和铂金属得到顶电极层； S5：电学激活：施加电压诱导单晶二氧化铌导电通道形成，即得所述单晶氧化铌忆阻器神经元器件； S2中靶材预处理的磁控溅射工艺为： S2-1：在真空度≤4×10-4Pa，氩气流量30-50sccm，腔体目标气压0.3-1.0Pa，功率40-60W的条件下预溅射5-15min； S2-2：通入氩气25-30scccm和氧气2-5sccm，在腔体目标气压0.3-1.0Pa，功率40-60W的条件下溅射15-20min；停止通气，在真空度≤4×10-4Pa下维持20-30min； S2-3：通入氩气30-50sccm，在腔体目标气压0.3-1.0Pa，功率40-50W的条件下溅射10-20min。

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