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龙图腾网获悉荣芯半导体(宁波)有限公司申请的专利一种半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121035051B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511510454.8，技术领域涉及：H10W10/17；该发明授权一种半导体器件及其制造方法是由请求不公布姓名;李明;赵学法;于连喜设计研发完成，并于2025-10-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体器件及其制造方法，制造方法包括：提供衬底；刻蚀衬底，在衬底中形成浅沟槽；在浅沟槽中沉积隔离材料层，隔离材料层填充满浅沟槽并覆盖衬底表面，在隔离材料层上对应于浅沟槽的位置形成有内凹槽；形成至少部分填充内凹槽的第一掩膜层；回蚀刻第一掩膜层以及隔离材料层，直到暴露出衬底的部分表面，以形成填充浅沟槽的浅沟槽隔离结构，浅沟槽隔离结构的顶面高于衬底的表面，其中，在回蚀刻过程中，对第一掩膜层的刻蚀速率小于对隔离材料层的刻蚀速率。本申请通过选用与隔离材料层以及衬底高选择比的第一掩膜层，结合蚀刻工艺可以有效控制浅沟槽隔离台阶高度，从而保证半导体器件的性能。

本发明授权一种半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括： 提供衬底； 刻蚀所述衬底，在所述衬底中形成浅沟槽； 在所述浅沟槽中沉积隔离材料层，所述隔离材料层填充满所述浅沟槽并覆盖所述衬底表面，在所述隔离材料层上对应于所述浅沟槽的位置形成有内凹槽； 涂覆形成至少部分填充所述内凹槽的第一掩膜层； 回蚀刻所述第一掩膜层以及所述隔离材料层，直到暴露出所述衬底的部分表面，以形成填充所述浅沟槽的浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构的顶面高于所述衬底的表面，其中，在所述回蚀刻过程中，对所述第一掩膜层的刻蚀速率小于对所述隔离材料层的刻蚀速率，所述浅沟槽隔离结构的顶面与所述衬底的表面之间的高度差取决于所述内凹槽中填充的第一掩膜层的高度以及在所述回蚀刻对所述第一掩膜层相对所述隔离材料层的刻蚀选择比； 其中，所述刻蚀所述衬底，在所述衬底中形成浅沟槽，包括： 在所述衬底的表面上形成第二掩膜层； 在所述第二掩膜层上形成图案化的光刻胶层，所述图案化的光刻胶层定义出预定形成的浅沟槽的图案； 以所述光刻胶层为掩膜，刻蚀所述第二掩膜层和所述衬底，以在所述衬底中形成浅沟槽； 去除所述光刻胶层和所述第二掩膜层。

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