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龙图腾网获悉珠海佑航科技有限公司申请的专利无静态功耗的LDO过流保护电路、方法、设备及介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121546907B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610084913.9，技术领域涉及：H02M1/32；该发明授权无静态功耗的LDO过流保护电路、方法、设备及介质是由谢晓静;莫太山;陈自强;马仕林设计研发完成，并于2026-01-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本无静态功耗的LDO过流保护电路、方法、设备及介质在说明书摘要公布了：本发明公开了一种无静态功耗的LDO过流保护电路、方法、设备及介质，涉及过流保护电路技术领域。该电路包括：电流采样模块，用于按第一比例采集LDO的功率管的输出电流；开关模块，与功率管的栅极连接；限流模块，用于按第二比例采集电流采样模块采集的输出电流，限流模块与开关模块及电流采样模块连接，限流模块还用于控制开关模块是否导通；过流启动模块，与限流模块及电流采样模块连接，过流启动模块用于控制电流采样模块和限流模块是否启动；其中，当输出电流继续上升到过流值时，开关模块导通，限制功率管的栅极电压，从而限制输出电流继续上升；第一预设值小于过流值。该电路能够对LDO进行过流保护，并降低功耗。

本发明授权无静态功耗的LDO过流保护电路、方法、设备及介质在权利要求书中公布了：1.一种无静态功耗的LDO过流保护电路，其特征在于，包括： 电流采样模块，用于按第一比例采集LDO的功率管的输出电流； 开关模块，与所述功率管的栅极连接； 限流模块，用于按第二比例采集所述电流采样模块采集的所述输出电流，所述限流模块与所述开关模块及所述电流采样模块连接，所述限流模块还用于控制所述开关模块是否导通； 过流启动模块，与所述限流模块及所述电流采样模块连接，所述过流启动模块用于控制所述电流采样模块和所述限流模块是否启动； 其中，当所述LDO的所述输出电流低于第一预设值时，所述电流采样模块、所述开关模块、所述限流模块和所述过流启动模块均不工作；当所述输出电流上升到所述第一预设值时，所述过流启动模块先启动，并带动所述电流采样模块和所述限流模块启动，所述开关模块处于断开状态；当所述输出电流继续上升到过流值时，所述开关模块导通，限制所述功率管的栅极电压，从而限制所述输出电流继续上升；所述第一预设值小于所述过流值； 所述电流采样模块包括： 第一MOS管，所述第一MOS管的栅极与所述功率管的栅极连接，所述第一MOS管的源极与所述功率管的源极连接； 第二MOS管，所述第二MOS管的漏极与所述第一MOS管的漏极连接，所述第二MOS管的栅极与所述限流模块及所述过流启动模块连接； 第三MOS管，所述第三MOS管的漏极与所述第二MOS管的源极连接，所述第三MOS管的源极连接电源，所述第三MOS管的栅极与所述限流模块及所述过流启动模块连接； 所述限流模块包括： 第四MOS管，所述第四MOS管的栅极与所述第二MOS管的栅极及所述过流启动模块连接，所述第四MOS管的漏极通过多个相互串联的电阻接地，其中一个所述电阻的一端与所述过流启动模块连接，另一个所述电阻的一端与所述开关模块连接； 第五MOS管，所述第五MOS管的漏极与所述第四MOS管的源极连接，所述第五MOS管的源极连接所述电源，所述第五MOS管的栅极与所述第三MOS管的栅极及所述过流启动模块连接； 所述过流启动模块包括： 第六MOS管，所述第六MOS管的源极连接所述电源，所述第六MOS管的栅极与所述第六MOS管的漏极、所述第三MOS管的栅极及所述第五MOS管的栅极连接； 第七MOS管，所述第七MOS管的源极与所述第六MOS管的漏极连接，所述第七MOS管的栅极与所述第二MOS管的栅极、所述第四MOS管的栅极及所述第一MOS管的漏极连接； 第八MOS管，所述第八MOS管的漏极与所述第七MOS管的漏极连接，所述第八MOS管的栅极与其中一个所述电阻的一端连接，所述第八MOS管的源极接地。

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