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龙图腾网获悉安徽大学申请的专利基于10T-SRAM的双路存内计算单元、电路、芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121583305B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610106212.0，技术领域涉及：G11C11/4074；该发明授权基于10T-SRAM的双路存内计算单元、电路、芯片是由彭春雨;徐士杰;张灿;郭嘉婷;向鲁斌;龚枭博;李志豪;章敬设计研发完成，并于2026-01-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于10T-SRAM的双路存内计算单元、电路、芯片在说明书摘要公布了：本发明公开了基于10T‑SRAM的双路存内计算单元、电路、芯片，涉及SRAM电路设计技术领域。本发明设计了10T存储单元、在两根位线上分别接入反相器来产生2个控制信号A1~A2，并依据A1、A2在位线放电每达到MAC=12对应的位线电压时即进行一轮充放电切换，并基于切换轮数得到高2位量化结果OUT，从而将可参与放电的位线增加到两条，重复利用线性度最好的放电区间以显著提高线性度；同时每根位线仅需承受跨度为12的放电过程，能够使用更大的相邻MAC电压差值以减轻ADC量化压力，并且能够节省高2位的模数量化、减少75%的面积和功耗。

本发明授权基于10T-SRAM的双路存内计算单元、电路、芯片在权利要求书中公布了：1.一种基于10T-SRAM的双路存内计算单元，其特征在于，其包括： 1列16个10T存储单元，其共用同一根位线RBL、同一根位线RBLB；第k+1个10T存储单元包括：6T存储部6T-SRAM[k]、4T计算部4T-Cal[k]；6T-SRAM[k]设置有存储节点Q[k]、QB[k]，用于存储1bit权重W[k]；4T-Cal[k]设置有2条放电路径，并依据W[k]、2bit激活值RWL[k]、控制信号S1、反相信号S2进行切换；k∈[0,15]； 2个反相器INV1~INV2；INV1的输入端连接RBL，输出端用于输出控制信号A1；INV2的输入端连接RBLB，输出端用于输出控制信号A2；INV1、INV2的翻转电压均设置为：乘累加值MAC=12时对应的位线电压； 1个切换控制部Control，其用于：依据A1、A2在位线放电每达到MAC=12对应的位线电压时即进行一轮充放电切换，并基于切换轮数得到高2位量化结果OUT5:4；以及 1个输出控制部OUT_Con，其用于：将RBL、RBLB与4位模数转换器4bit_ADC连接以得到低4位量化结果OUT3:0；OUT_Con受S1、S2控制；当S1为1、S2为0时，RBL与4bit_ADC接通；当S1为0、S2为1时，RBLB与4bit_ADC接通。

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