西北师范大学敏琦获国家专利权
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龙图腾网获悉西北师范大学申请的专利一种自延时双靶对撞等离子体发生装置及生成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121586144B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610105733.4，技术领域涉及：H05H1/24；该发明授权一种自延时双靶对撞等离子体发生装置及生成方法是由敏琦;吴成伟;刘兴邦设计研发完成，并于2026-01-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种自延时双靶对撞等离子体发生装置及生成方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种自延时双靶对撞等离子体发生装置及生成方法，属于等离子体技术领域，包括激光器系统，真空腔室以及设置于真空腔室中的靶材组件，沿激光传播方向，靶材组件包括第一复合靶和第二平面靶；第一复合靶包括薄膜基底及第一锡层；第二平面靶包括第二锡层；薄膜基底与第二锡层之间设定有预定间距。激光器系统发射单束脉冲激光聚焦于第一复合靶上，烧蚀第一锡层产生第一等离子体，并击穿薄膜基底，透射的激光能量烧蚀第二锡层，产生第二等离子体，第一等离子体与第二等离子体相向碰撞，形成停滞层。本发明利用单束激光和特殊的复合靶材结构，通过物理机制实现自延时的等离子体对撞，简化了系统结构并提升等离子体停滞层的约束性能。
本发明授权一种自延时双靶对撞等离子体发生装置及生成方法在权利要求书中公布了：1.一种自延时双靶对撞等离子体发生装置，包括真空腔室1和激光器系统2，其特征在于，还包括： 靶材组件，其设置于所述真空腔室1内；沿激光传播方向，所述靶材组件包括间隔设置的第一复合靶3和第二平面靶；所述第一复合靶3包括薄膜基底31及沉积于所述薄膜基底31上的第一锡层32；所述第二平面靶包括第二锡层4，其平行设置于所述薄膜基底31一侧；所述薄膜基底31与第二锡层4之间设定有对撞区域，所述对撞区域的间距为0.5mm～2mm；所述薄膜基底31的厚度为10μm～50μm；所述第一锡层32的厚度为50nm～200nm； 所述激光器系统2发射单束脉冲激光聚焦于所述第一复合靶3上，烧蚀第一锡层32产生顺激光方向膨胀的第一等离子体，并击穿薄膜基底31，透射的激光能量烧蚀第二锡层4，产生逆激光方向膨胀的第二等离子体，第一等离子体与第二等离子体在所述对撞区域相向碰撞，形成停滞层并受激发射出增强的特征谱线。
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