苏州纳维科技有限公司王建峰获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州纳维科技有限公司申请的专利一种基于GaN同质衬底的Micro-LED器件及其设计方法、应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121586349B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610106797.6，技术领域涉及：H10H20/821；该发明授权一种基于GaN同质衬底的Micro-LED器件及其设计方法、应用是由王建峰;蔡德敏设计研发完成，并于2026-01-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于GaN同质衬底的Micro-LED器件及其设计方法、应用在说明书摘要公布了：本申请涉及光电器件设计与制造技术领域，具体涉及一种基于GaN同质衬底的Micro‑LED器件及其设计方法、应用。包括GaN同质衬底和驱动基板；GaN同质衬底包括圆台结构，圆台结构的小端面处设置有有源发光结构，圆台结构的侧壁与其大端面之间的夹角限定为80°–87°，利用侧壁全反射效应实现对光束的准直调控；GaN同质衬底和有源发光结构上均设置有电极，GaN同质衬底通过电极倒装连接在驱动基板上。通过优化圆台结构的侧壁倾斜角度及高度，使有源发光结构发出的光束在该圆台结构内发生多次全反射，显著降低其出射光束的发散角，达到大幅提升该器件出光准直性的效果。
本发明授权一种基于GaN同质衬底的Micro-LED器件及其设计方法、应用在权利要求书中公布了：1.一种基于GaN同质衬底的Micro-LED器件，其特征在于，包括GaN同质衬底和驱动基板； 所述GaN同质衬底包括呈圆台状的圆台结构，所述圆台结构的小端面上设置有源发光结构，所述圆台结构的高度为25μm–100μm中的任一值，且所述圆台结构的侧壁与其大端面之间的夹角为80°–87°中的任一值，以便利用所述圆台结构的侧壁的全反射效应实现对光束的准直调控； 所述GaN同质衬底和所述有源发光结构上均设置有电极，所述GaN同质衬底通过所述电极倒装连接在所述驱动基板上。
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