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龙图腾网获悉深圳市芯电元科技有限公司申请的专利一种并联SiC MOSFET器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121604499B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610103150.8，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权一种并联SiC MOSFET器件及其制备方法是由黄凤明;杨彦峰设计研发完成，并于2026-01-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种并联SiC MOSFET器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种并联SiCMOSFET器件及其制备方法，该制备方法包括：将器件外延层划分为元胞区和辅助均流区，辅助均流区位于元胞区的一侧边缘；通过第一预设工艺在器件外延层进行沟槽蚀刻处理，以在元胞区蚀刻出若干主沟槽；通过第二预设工艺再次在器件外延层进行沟槽蚀刻处理，以在辅助均流区蚀刻出若干浅沟槽，浅沟槽的槽深小于主沟槽的槽深；对各个浅沟槽的底部进行轻掺杂处理，以使若干浅沟槽形成动态均流结构；通过第三预设工艺依次在器件外延层完成栅极、源极和漏极的制备，以得到并联SiCMOSFET器件。本技术方案，其制备所得的并联SiCMOSFET器件，在进行并联使用时，能够通过器件内部结构的调整达到动态均流的效果，而无需设计复杂的外部电路。

本发明授权一种并联SiC MOSFET器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种并联SiCMOSFET器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括： 将器件外延层划分为元胞区和辅助均流区，所述辅助均流区位于所述元胞区的一侧边缘； 通过第一预设工艺在所述器件外延层进行沟槽蚀刻处理，以在所述元胞区蚀刻出若干主沟槽； 通过第二预设工艺再次在所述器件外延层进行沟槽蚀刻处理，以在所述辅助均流区蚀刻出若干浅沟槽，所述浅沟槽的槽深小于所述主沟槽的槽深； 对各个所述浅沟槽的底部进行轻掺杂处理，以使若干所述浅沟槽形成动态均流结构； 通过第三预设工艺依次在器件外延层完成栅极、源极和漏极的制备，以得到所述并联SiCMOSFET器件，包括：通过热氧化工艺和化学气相沉积工艺的搭配，依次对若干所述主沟槽以及若干所述浅沟槽进行栅极氧化层生长处理和栅极金属填充处理，以在若干所述主沟槽处完成所述栅极的制备的同时，完成若干所述浅沟槽的填充处理。

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