中国科学院上海硅酸盐研究所邓瑞翔获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院上海硅酸盐研究所申请的专利一种结构/隐身一体化复合材料及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN112829400B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110149718.7,技术领域涉及:B32B17/02;该发明授权一种结构/隐身一体化复合材料及其制备方法是由邓瑞翔;张涛;宋力昕;于云;张科设计研发完成,并于2021-02-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种结构/隐身一体化复合材料及其制备方法在说明书摘要公布了:本发明涉及一种结构隐身一体化复合材料及其制备方法,该结构隐身一体化复合材料包括:至少两层树脂基复合材料层;夹于至少两层所述树脂基复合材料层间的至少一层频率选择表面层,所述树脂基复合材料层与所述频率选择表面层交替排列;以及最底层金属反射层,构成所述树脂基复合材料层的树脂基复合材料在2~20GHz频段内的相对介电常数为2~5,所述频率选择表面层具有二维周期性排列的导电图案,相邻的所述导电图案的尺寸及其几何中心间的间距在所述结构隐身一体化复合材料的吸波工作频段最低限对应波长的120至15之间,所述结构隐身一体化复合材料的抗拉强度不小于200MPa。
本发明授权一种结构/隐身一体化复合材料及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种结构隐身一体化复合材料,其特征在于,结构隐身一体化复合材料包括: 至少两层树脂基复合材料层;树脂基复合材料在2~18GHz频段的相对介电常数在2~5之间;各树脂基复合材料层的厚度为4mm以下; 夹于至少两层树脂基复合材料层之间的至少一层频率选择表面层,所述树脂基复合材料层与所述频率选择表面层呈现交替排列;所述频率选择表面层具有二维周期性排列的导电图案;所述频率选择表面为周期性排列的导电圆环,相邻圆环的间距为14.4mm,圆环的外径为7mm,内径为4.4mm,圆环的表面方阻为2Ωsq;所述导电图案由铜箔、铝箔、导电碳膜或ITO导电膜制作;各频率选择表面层的厚度为0.2mm以下; 以及位于最底层的金属反射层;金属反射层的方阻不大于15Ωsq;金属反射层的厚度为0.15mm以下; 其中,所述结构隐身一体化复合材料的总厚度为20mm以下,吸收带为2~18GHz,在2~18GHz频段内的反射衰减优于-7dB,抗拉强度不小于200MPa。
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