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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体器件及半导体器件的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115513279B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211314185.4，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体器件及半导体器件的形成方法是由杨杰设计研发完成，并于2022-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及半导体器件的形成方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体领域，公开了一种半导体器件及半导体器件的形成方法。该半导体器件包括衬底；源区和漏区；晕环注入区，晕环注入区包括用于防止沟道直接穿通的第一晕环注入子区和用于调节结漏电流的第二晕环注入子区，第一晕环注入子区覆盖于预设区域的底部和或侧面，预设区域包括源区和或漏区，耗尽层终止在第一晕环注入子区内；第二晕环注入子区覆盖于第一晕环注入子的底部和或侧面，且少子扩散层终止在第二晕环注入子区内，第二晕环注入子区的掺杂浓度大于第一晕环注入子区的掺杂浓度。本公开提供的半导体器件通过设置晕环注入区可以调整衬底与源区和或漏区之间的界面性能，可以解决沟道直接穿通与pn结漏电之间的矛盾。

本发明授权半导体器件及半导体器件的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括： 提供一衬底； 在所述衬底内形成源区和漏区，且在所述源区与所述漏区之间形成沟道区；所述漏区与所述衬底中的一个为p型，另一个为n型，所述源区与所述漏区的类型相同，且在所述源区或所述漏区与所述衬底间形成耗尽层； 定义第一掺杂区域，进行第一次离子注入，形成用于防止沟道直接穿通的第一晕环注入子区，所述第一晕环注入子区覆盖预设区域的底部和或侧面，所述预设区域包括所述源区和或所述漏区；将所述耗尽层终止在所述第一晕环注入子区内； 定义第二掺杂区域，进行第二次离子注入，形成用于调节结漏电流的第二晕环注入子区，所述第二晕环注入子区覆盖所述第一晕环注入子区的底部和或侧面；将所述衬底一侧少子扩散所形成的扩散层终止在所述第二晕环注入子区内，且控制所述第二晕环注入子区的掺杂浓度大于所述第一晕环注入子区的掺杂浓度； 所述第一晕环注入子区与所述第二晕环注入子区形成晕环注入区； 在进行第一次离子注入的方法之前，所述形成方法还包括：确定所述第一晕环注入子区的掺杂浓度和掺杂深度，其中，确定所述第一晕环注入子区的掺杂深度的方法包括：估算所述预设区域与所述衬底间突变结在第一晕环注入子区一侧的耗尽层深度，得到预估值；根据所述预估值，调整所述第一晕环注入子区的掺杂深度，使得所述掺杂深度大于等于所述预估值；其中，估算所述预设区域与所述衬底间突变结在第一晕环注入子区一侧的耗尽层深度时，通过下述公式进行估算： 其中：表示耗尽层深度；表示预设区域的电子浓度，表示衬底的空穴浓度，表示本征半导体载流子浓度。

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