苏州众芯联电子材料有限公司赵凯获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州众芯联电子材料有限公司申请的专利下部电极的上电介质层的加工方法和下部电极的制作工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115547784B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211213091.8，技术领域涉及：H01J9/14；该发明授权下部电极的上电介质层的加工方法和下部电极的制作工艺是由赵凯;顾众;张立祥设计研发完成，并于2022-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本下部电极的上电介质层的加工方法和下部电极的制作工艺在说明书摘要公布了：本发明公开了下部电极的上电介质层的加工方法和下部电极的制作工艺，其中上电介质层的加工方法包括上电介质层熔射，在电极层表面进行等离子熔射形成上电介质层，其中等离子熔射的熔射路线为N条S型的扫描路径，且N条所述扫描路径的起点沿同一方向错开距离d；封孔；研磨；喷砂，其中喷砂路线与熔射路线相同。上电介质层的熔射和喷砂过程中，均采用多条偏移的路径进行，增加了叠加区域的均匀度，减少了在上电介质层表面形成的波浪形，提高上电介质层表面的均匀度。从而减少在干刻过程中因断差引起的对玻璃基片冷却的不均匀，因此减少干刻过程中mura的产生。
本发明授权下部电极的上电介质层的加工方法和下部电极的制作工艺在权利要求书中公布了：1.下部电极的上电介质层的加工方法，其特征在于：包括如下步骤 上电介质层熔射，在电极层表面进行等离子熔射形成上电介质层，其中等离子熔射的熔射路线为N条S型的扫描路径，且N条所述扫描路径的起点沿同一方向错开距离d，所述错开距离d为1±0.5mm，且每条所述扫描路径的步距均为5-10mm； 封孔，对等离子熔射形成上电介质层进行封孔处理； 研磨，对封孔后的上电介质层进行研磨，直至其表面的平面度得到预设要求，并在所述上电介质层的四周形成凸起； 喷砂，对研磨后的上电介质层的周边进行遮蔽，并对未遮蔽区进行喷砂，其中喷砂路线与熔射路线相同。
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