杭州富芯半导体有限公司姚澄澄获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州富芯半导体有限公司申请的专利一种用于晶圆刻蚀的反应气体处理方法和晶圆刻蚀系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115565866B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211197508.6，技术领域涉及：H10P50/20；该发明授权一种用于晶圆刻蚀的反应气体处理方法和晶圆刻蚀系统是由姚澄澄;陈泳设计研发完成，并于2022-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于晶圆刻蚀的反应气体处理方法和晶圆刻蚀系统在说明书摘要公布了：本申请提供一种用于晶圆刻蚀的反应气体处理方法，包括：提供多组晶圆组，其中多组晶圆组的每一组包括在进入刻蚀腔体时彼此相邻的第一晶圆和第二晶圆；对多组晶圆组的每一组执行反应气体处理步骤，反应气体处理步骤包括：于刻蚀腔体内，以刻蚀气体对第一晶圆进行刻蚀；放置刻蚀后第一晶圆于处理腔体的第一插槽；于刻蚀腔体内，以刻蚀气体对第二晶圆进行刻蚀；移动位于第一插槽中第一晶圆至处理腔体的第二插槽，其中第一插槽位于第二插槽的上方；放置刻蚀后第二晶圆于处理腔体的第一插槽；对第二晶圆及第一晶圆执行清洁工序。透过本申请的用于晶圆刻蚀的反应气体处理方法，可避免HBr·2H2O结晶产生在刻蚀后晶圆晶圆的表面上，而不污染晶圆。
本发明授权一种用于晶圆刻蚀的反应气体处理方法和晶圆刻蚀系统在权利要求书中公布了：1.一种用于晶圆刻蚀的反应气体处理方法，其特征在于，包括： 提供多组晶圆组，其中所述多组晶圆组的每一组包括在进入刻蚀腔体10时彼此相邻的第一晶圆和第二晶圆；以及 对所述多组晶圆组的每一组执行反应气体处理步骤，所述反应气体处理步骤包括： 于刻蚀腔体10内，以刻蚀气体对所述第一晶圆进行刻蚀，其中，所述刻蚀气体包括HBr； 放置刻蚀后所述第一晶圆于处理腔体20的第一插槽； 于所述刻蚀腔体10内，以所述刻蚀气体对所述第二晶圆进行刻蚀； 移动位于所述第一插槽中所述第一晶圆至所述处理腔体20的第二插槽，其中所述第一插槽位于所述第二插槽的上方； 放置刻蚀后所述第二晶圆于所述处理腔体20的所述第一插槽；以及 对所述第二晶圆及所述第一晶圆执行清洁工序。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人杭州富芯半导体有限公司，其通讯地址为：310000 浙江省杭州市滨江区西兴街道联慧街6号1-1301；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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