上海南芯半导体科技股份有限公司魏郅获国家专利权
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龙图腾网获悉上海南芯半导体科技股份有限公司申请的专利一种开关电源电流检测电路系统获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115575693B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211374233.9,技术领域涉及:G01R19/00;该发明授权一种开关电源电流检测电路系统是由魏郅;何勇杰设计研发完成,并于2022-11-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种开关电源电流检测电路系统在说明书摘要公布了:本发明公开了开关电源电流检测电路系统,涉及开关电源技术领域。基本拓扑电路单元包括第一金属‑氧化物半导体场效应晶体管和控制器;第一金属‑氧化物半导体场效应晶体管的漏极接入输入电压,控制器的第三管脚接入启动电压;电流镜像单元的第一端接入输入电压,第二端连接第三管脚;电压传输单元还与控制器的第一管脚和第二管脚分别连接;第一使能信号控制进入电流检测生效阶段或失效阶段,第二使能信号控制第一金属‑氧化物半导体场效应晶体管导通或关断;电流镜像单元镜像流经第一金属‑氧化物半导体场效应晶体管的电流。本发明降低开关电源的功率损耗,实现开关电源的无损检测。
本发明授权一种开关电源电流检测电路系统在权利要求书中公布了:1.一种开关电源电流检测电路系统,其特征在于,包括基本拓扑电路单元和电流检测电路系统;所述电流检测电路系统包括电压传输单元和电流镜像单元,其中: 所述基本拓扑电路单元用于调整电压;所述基本拓扑电路单元至少包括相连接的第一金属-氧化物半导体场效应晶体管和控制器;所述第一金属-氧化物半导体场效应晶体管的漏极接入输入电压,所述控制器的第三管脚用于接入启动电压; 所述电流镜像单元的第一端接入所述输入电压,所述电流镜像单元的第二端通过所述电压传输单元连接所述第三管脚; 所述电压传输单元还与所述控制器的第一管脚和第二管脚分别连接;所述第二管脚还与所述第一金属-氧化物半导体场效应晶体管的栅极连接;其中,所述第一管脚输出的第一使能信号用于控制所述电流检测电路系统进入电流检测生效阶段或失效阶段,所述第二管脚输出的第二使能信号用于控制所述第一金属-氧化物半导体场效应晶体管导通或关断; 所述电压传输单元用于:在所述电流检测生效阶段中,当所述第一金属-氧化物半导体场效应晶体管导通后,控制所述电流镜像单元进入工作状态;以及,在所述电流检测生效阶段中,在所述第一金属-氧化物半导体场效应晶体管导通期间,将所述第三管脚处的启动电压传输至所述电流镜像单元的第二端; 所述电流镜像单元用于:在所述工作状态下,对流经所述第一金属-氧化物半导体场效应晶体管的电流进行镜像; 所述电压传输单元包括时序控制器和传输单元,其中: 所述时序控制器两输入端分别连接所述第二管脚和所述第一管脚; 所述传输单元的第一端与所述时序控制器的输出端连接,所述传输单元的第二端和所述第三管脚连接,所述传输单元的第三端与所述电流镜像单元的第二端相连接; 所述时序控制器用于:在所述电流检测生效阶段中,基于所述第二使能信号输出第三使能信号;所述第三使能信号用于控制所述电流镜像单元进入所述工作状态; 所述传输单元用于:在所述第一金属-氧化物半导体场效应晶体管导通期间,将所述第三管脚处的启动电压传输至所述电流镜像单元的第二端。
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