台湾积体电路制造股份有限公司沈柏志获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115589765B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211406598.5，技术领域涉及：H10N50/10；该发明授权半导体器件及其形成方法是由沈柏志;刘光益;刘中伟;梁晋魁;邱意为;林进兴;许立德;蔡瀚霆;吴正一;林世和设计研发完成，并于2019-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体器件及其形成方法。所述方法包括在衬底上方形成底部电极层。在所述底部电极层上方形成磁隧道结MTJ层。在所述MTJ层上方形成顶部电极层。图案化所述顶部电极层。在图案化所述顶部电极层之后，在所述MTJ层和所述底部电极层上实施一个或者多个工艺周期。图案化的顶部电极层、图案化的MTJ层、以及图案化的底部电极层形成MTJ结构。所述一个或者多个工艺周期的每一个包括：在所述MTJ层和所述底部电极层上以第一持续时间实施蚀刻工艺，以及在所述MTJ层和所述底部电极层上以第二持续时间实施磁处理。
本发明授权半导体器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 衬底； 磁隧道结结构，位于所述衬底上方，其中，所述磁隧道结结构包括： 底部电极； 磁隧道结堆叠件，位于所述底部电极上方；以及 顶部电极，位于所述磁隧道结堆叠件上方； 氧化物层，位于所述磁隧道结堆叠件的侧壁上；以及 间隔件，位于所述磁隧道结结构的侧壁上，其中，所述间隔件与所述底部电极的侧壁、所述顶部电极的侧壁以及所述氧化物层物理接触， 其中，所述氧化物层暴露所述底部电极的侧壁，并且所述氧化物层具有相比于所述底部电极暴露的底面， 其中，所述间隔件的与所述底部电极的侧壁物理接触的部分具有顶面，所述底面与所述顶面互相面对且物理接触。
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