上海华虹宏力半导体制造有限公司李冰寒获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利一种分栅快闪存储单元及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115623783B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210433800.7，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权一种分栅快闪存储单元及其制备方法是由李冰寒设计研发完成，并于2022-04-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种分栅快闪存储单元及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种分栅快闪存储单元及其制备方法，包括：衬底及位于所述衬底上的源线及两个存储位，两个所述存储位对称设置，所述源线位于两个所述存储位之间；每个所述存储位包括浮栅、栅介质层、擦除栅、字线栅及遂穿氧化层，所述浮栅包括第一部分及第二部分，所述字线栅位于所述衬底上，且向上延伸覆盖栅介质层、擦除栅及第一部分远离源线的一侧的侧壁。将所述浮栅分为沿水平方向延伸的所述第一部分和沿竖直方向延伸的第二部分，使源线与浮栅之间水平方向上的耦合变为在竖直方向上的耦合，增大了所述源线与所述浮栅之间的相对耦合面积，同时减小了所述分栅快闪存储单元的尺寸。
本发明授权一种分栅快闪存储单元及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种分栅快闪存储单元，其特征在于，包括：衬底及位于所述衬底上的源线及两个存储位，两个所述存储位对称设置，所述源线位于两个所述存储位之间； 每个所述存储位包括浮栅、栅介质层、擦除栅、字线栅及遂穿氧化层，所述浮栅包括第一部分及第二部分，所述第一部分位于所述衬底上，所述栅介质层覆盖部分所述第一部分，所述擦除栅覆盖所述栅介质层，所述遂穿氧化层覆盖部分所述第一部分并向上延伸覆盖所述栅介质层及所述擦除栅的侧壁，所述第二部分覆盖剩余的所述第一部分并向上延伸覆盖所述遂穿氧化层的侧壁，且所述第二部分位于靠近所述源线的一侧； 所述字线栅位于所述衬底上，且所述字线栅向上延伸覆盖所述栅介质层、所述擦除栅及所述第一部分远离所述源线的一侧的侧壁。
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