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龙图腾网获悉常州承芯半导体有限公司申请的专利体声波谐振装置的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115632623B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211203212.0，技术领域涉及：H03H3/02；该发明授权体声波谐振装置的形成方法是由黄烜;邹雅丽;杨新宇;汤正杰设计研发完成，并于2022-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本体声波谐振装置的形成方法在说明书摘要公布了：一种体声波谐振装置的形成方法，包括：形成第一部，包括：提供第一基底；形成压电层，位于第一基底上方；形成第一电极层，位于压电层上；形成空腔预处理层，位于压电层上；形成空腔预处理层包括：形成牺牲层，位于压电层上方，牺牲层的材料为金属材料；形成第二部，包括：提供第二基底；接合第一部与第二部；去除第一基底；形成第二电极层；去除牺牲层形成空腔。通过接合工艺形成体声波谐振装置，避免对牺牲层进行坦化处理，使得牺牲层的材料选择更灵活。通过选用金属材料的牺牲层，在去除牺牲层的过程中金属材料能与释放溶液反应充分，通过控制反应速率可避免空腔上方结构塌陷的问题，也可避免牺牲层释放不净问题，以提升体声波谐振装置的性能。

本发明授权体声波谐振装置的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种体声波谐振装置的形成方法，其特征在于，包括： 形成第一部，包括：提供第一基底；形成压电层，位于所述第一基底上方，所述压电层包括第一侧及与所述第一侧相对的第二侧，所述第一基底位于所述第二侧；形成第一电极层，位于所述压电层上，接触所述压电层，所述第一电极层位于所述第一侧；形成空腔预处理层，位于所述压电层上，覆盖所述第一电极层，所述空腔预处理层位于所述第一侧；其中，形成空腔预处理层包括：形成牺牲层，位于所述压电层上方，所述牺牲层覆盖所述第一电极层的至少一端，所述牺牲层的材料为金属材料； 形成第二部，包括：提供第二基底； 接合所述第一部与所述第二部，所述第二基底位于所述第一侧； 去除所述第一基底； 形成第二电极层，位于所述第二侧，接触所述压电层； 去除所述牺牲层，形成空腔，所述第一电极层的至少一端位于所述空腔内； 形成空腔预处理层还包括：形成所述牺牲层之前，在所述第一电极层及至少部分所述压电层的表面形成第一保护层；所述牺牲层位于所述第一保护层上，接触所述第一保护层；在所述牺牲层的表面形成第二保护层，所述第二保护层与所述第一保护层接触，包围所述牺牲层。

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