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龙图腾网获悉常州承芯半导体有限公司申请的专利体声波谐振装置的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115632630B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211356578.1，技术领域涉及：H03H9/02；该发明授权体声波谐振装置的形成方法是由黄烜;邹雅丽;汤正杰;杨新宇设计研发完成，并于2022-11-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本体声波谐振装置的形成方法在说明书摘要公布了：一种体声波谐振装置的形成方法，包括：形成第一部，包括：提供第一基底；在第一基底上形成种子层；在种子层上形成第二电极材料层；在第二电极材料层上形成压电层；在压电层上形成第一电极层，第一电极层位于第一侧；在压电层上形成空腔预处理层，空腔预处理层位于第一侧，且空腔预处理层覆盖第一电极层；形成第二部，包括：提供第二基底；将第二部与第一部接合，第二部位于第一侧；去除第一基底和种子层；图形化第二电极材料层，在压电层第二侧上形成第二电极层；基于空腔预处理层形成空腔，第一电极层与第二电极层在空腔上方部分重合。所述体声波滤波器的性能得到提升。

本发明授权体声波谐振装置的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种体声波谐振装置的形成方法，其特征在于，包括： 形成第一部，包括：提供第一基底；在所述第一基底上形成种子层；在所述种子层上形成第二电极材料层；在所述第二电极材料层上形成压电层，所述压电层包括相对的第一侧和第二侧，所述第一基底、所述种子层及所述第二电极材料层位于所述第二侧；在所述压电层上形成第一电极层，所述第一电极层位于所述第一侧；在所述压电层上形成空腔预处理层，所述空腔预处理层位于所述第一侧，且所述空腔预处理层覆盖所述第一电极层；其中，所述种子层的材料包括氧化铝、氧化硅、氮化硅、氮氧化铝或碳化硅； 形成第二部，包括：提供第二基底； 将所述第二部与所述第一部接合，所述第二部位于所述第一侧； 去除所述第一基底，包括：采用第一工艺去除部分所述第一基底，采用第二工艺去除剩余的所述第一基底，所述第二工艺为刻蚀工艺；其中，去除第一基底的过程中，所述种子层作为刻蚀阻挡层； 去除所述第一基底后，去除所述种子层； 图形化所述第二电极材料层，在所述压电层第二侧上形成第二电极层； 基于所述空腔预处理层形成空腔，所述第一电极层与所述第二电极层在所述空腔上方部分重合。

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