买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉江苏第三代半导体研究院有限公司申请的专利一种微发光二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115642210B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211351671.3，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种微发光二极管及其制备方法是由李增林;王国斌设计研发完成，并于2022-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种微发光二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种微发光二极管及其制备方法，该制备方法包括：采用干法刻蚀工艺对外延结构进行刻蚀，外延结构包括依次层叠的衬底、第一半导体层、多量子阱发光层和第二半导体层，去除外延结构上的部分第二半导体层和部分多量子阱发光层，形成刻蚀沟槽和多个台面，刻蚀沟槽处露出第一半导体层；采用湿法腐蚀工艺对刻蚀沟槽的侧壁上的量子阱损伤进行修复处理，刻蚀沟槽的侧壁形成倾斜结构。通过修复损伤的量子阱，降低微发光二极管的尺寸效应带来的不利影响，进而提高微发光二极管的量子效率。

本发明授权一种微发光二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种微发光二极管的制备方法，其特征在于，包括： 采用干法刻蚀工艺对外延结构进行刻蚀，所述外延结构包括依次层叠的衬底、第一半导体层、多量子阱发光层和第二半导体层，去除所述外延结构上的部分所述第二半导体层和部分所述多量子阱发光层，形成刻蚀沟槽和多个台面，所述刻蚀沟槽处露出所述第一半导体层；所述干法刻蚀工艺的刻蚀功率大于200w； 先在所述台面的上表面和所述刻蚀沟槽的底部形成图案化的第二掩膜层，再采用湿法腐蚀工艺对所述刻蚀沟槽的侧壁上的量子阱损伤进行修复处理，所述刻蚀沟槽的侧壁形成倾斜结构以将侧壁光反射至垂直面；然后去除所述第二掩膜层；其中，所述湿法腐蚀工艺中，腐蚀溶液为磷酸和硫酸的混合溶液，腐蚀温度为180-220℃，腐蚀时间为10-20min； 在所述外延结构上形成钝化层，其中，所述钝化层包括保护层和绝缘层，所述保护层覆盖部分所述绝缘层；所述绝缘层用于将所述保护层与所述第二半导体层和所述第一半导体层隔开，所述保护层为依次层叠的Cr层、Al层和Au层，所述Cr层用于粘结所述Al层与所述绝缘层，所述Al层用于对反射光再次反射； 在所述钝化层上形成粗化层，所述粗化层的均方根粗糙度为15-20nm。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人江苏第三代半导体研究院有限公司，其通讯地址为：215000 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城中北区23幢214室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。