常州承芯半导体有限公司汤正杰获国家专利权
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龙图腾网获悉常州承芯半导体有限公司申请的专利声表面波谐振装置及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115664374B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211452649.8，技术领域涉及：H03H9/25；该发明授权声表面波谐振装置及其形成方法是由汤正杰;邹雅丽;杨新宇设计研发完成，并于2022-11-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本声表面波谐振装置及其形成方法在说明书摘要公布了：一种声表面波谐振装置及其形成方法，涉及半导体制造技术领域，其中装置包括：压电基底；位于压电基底上的电极结构，电极结构包括第一金属层、第二金属层及第三金属层，第一金属层和第三金属层的材料密度大于第二金属层的材料密度。通过增设材料密度较高的第三金属层，能够有效抑制低材料密度的金属的声学迁移现象，提高声表面波谐振装置的功率耐受度。另外，由于电极结构的厚度会影响声表面波谐振装置的谐振频率，高材料密度的金属厚度对频率的影响比低材料密度的金属更显著。因此，通过增设材料密度较高的第三金属层，可以调控第三金属层的厚度，从而达到精准控制声表面波谐振装置的谐振频率的效果，使得调频方式更加灵活可控。
本发明授权声表面波谐振装置及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种声表面波谐振装置，其特征在于，包括： 压电基底； 位于所述压电基底上的电极结构，所述电极结构包括第一金属层、位于所述第一金属层上的第二金属层、以及位于所述第二金属层上的第三金属层，所述第一金属层和所述第三金属层的材料密度大于所述第二金属层的材料密度，所述第三金属层的厚度为：5纳米～100纳米； 位于所述压电基底上的温度补偿层，所述温度补偿层覆盖所述电极结构。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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