中国科学院空天信息创新研究院夏善红获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院空天信息创新研究院申请的专利一种基于GIS-SOI-GOS的垂直谐振式MEMS电场传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115684740B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211235320.6，技术领域涉及：G01R29/08；该发明授权一种基于GIS-SOI-GOS的垂直谐振式MEMS电场传感器是由夏善红;高雅浩;刘向明;彭思敏;彭春荣设计研发完成，并于2022-10-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于GIS-SOI-GOS的垂直谐振式MEMS电场传感器在说明书摘要公布了：本发明提供一种基于GIS‑SOI‑GOS的垂直谐振式MEMS电场传感器，由GIS层、SOI层和GOS层组成。GIS层包括上驱动电极、绝缘环、导体硅、多个通孔以及玻璃层上的凹槽，上驱动电极通过绝缘环与导体硅实现绝缘。SOI层由器件层、埋氧层和衬底层组成，器件层制作有下驱动电极、屏蔽电极、感应电极、弹性梁和锚点等，埋氧层和衬底层刻蚀有镂空窗口，与GIS下方玻璃层上的凹槽共同为可动结构提供垂直振动空间。GOS层包括电场感应盖板和制作有窗口的玻璃层，用以建立电场感应通道。本发明实现垂直谐振式MEMS电场传感器敏感结构及真空封装的一体化圆片级制备，具有高电场感应效率、高品质因数、低驱动电压等特点。
本发明授权一种基于GIS-SOI-GOS的垂直谐振式MEMS电场传感器在权利要求书中公布了：1.一种基于GIS-SOI-GOS的垂直谐振式MEMS电场传感器，其特征在于，包括： GIS层，制作有上驱动电极、绝缘环、外围导体硅、多个通孔以及下方玻璃层上的凹槽； SOI层，由器件层、埋氧层、衬底层三层结构组成，器件层刻蚀有部分敏感结构，埋氧层和衬底层刻蚀有镂空窗口；所述敏感结构包括上驱动电极、下驱动电极、屏蔽电极、感应电极、弹性梁和锚点，其中所述屏蔽电极与下驱动电极刚性连接且可动，所述感应电极通过锚点固定在埋氧层上； GOS层，由电场感应盖板和制作有窗口的玻璃层组成； GIS层、SOI层、GOS层通过阳极键合形成一体化圆片级真空封装结构。
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