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龙图腾网获悉贵州大学申请的专利一种三边形永磁体磁场分布模型的构建方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115687849B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211337035.5，技术领域涉及：G06F17/10；该发明授权一种三边形永磁体磁场分布模型的构建方法是由宋涛;何志琴;吴钦木;马家庆;黄玉瑶;曾春鸿设计研发完成，并于2022-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种三边形永磁体磁场分布模型的构建方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种三边形永磁体磁场分布模型的构建方法，该方法为：将三角形永磁体的三维分子环流模型转换为二维解析模型，永磁体被均匀磁化后，其体电流为零，则空间中任一场点处的磁场仅由永磁体表面的闭合电流环路产生，以安培分子环流假说和分子环流模型为基础，应用毕奥‑萨伐尔定律和磁场叠加原理，构建三角形永磁体的外部空间磁场分布模型，该二维永磁体阵列的外部空间磁场分布模型兼顾其外部空间磁通量密度法向分量的分布波形和幅值，优化了二维矩形永磁体阵列的永磁单体间隙值，并使用有限元分析结果对解析式的可靠性和有效性进行验证，并给出了三角形永磁体外部空间磁通量密度随空间气隙值这一重要电机设计参数变化的分布特性。

本发明授权一种三边形永磁体磁场分布模型的构建方法在权利要求书中公布了：1.一种三边形永磁体磁场分布模型的构建方法，其特征在于：该方法为：将三角形永磁体的三维分子环流模型转换为二维解析模型，永磁体被均匀磁化后，其体电流为零，则空间中任一场点Px,y,z处的磁场仅由永磁体表面的闭合电流环路产生，设永磁体的面磁化电流为J，其与磁化矢量M的关系为式1，其中n为磁介质表面单位外法线方向，径向磁化永磁体的面磁化电流大小与永磁体磁化强度相等，即式2，式2中，M＝Brμ0，Br为永磁体的剩余磁通量密度，单位特斯拉；μ0＝4π×10-7Hm，为真空磁导率，则厚度为dz0的薄层电流环l的电流强度I为式3，式4为毕奥-萨伐尔定律的矢量表达式，用于计算线电流元Idl在空间任意场点处产生的磁感应强度，式4在闭合电流回路l上的积分，得到其在场点Px,y,z处产生的磁感应强度Bl为式5，对式5在永磁体厚度h上积分，得到整块永磁体在该场点处产生的磁感应强度B为式6： 上述各个式中r表示坐标原点到场点Px,y,z的矢径；r'表示坐标原点到源点x0，y0，z0的矢径；r-r'表示源点到场点的矢径；M为永磁体的磁化矢量，i、j和k表示单位向量； 首先计算三角形永磁体中所有与二维解析模型中1号载流导体l1平行的载流导体在场点Px,y,z处产生的磁感应强度的法向分量设k1、k2和k3为二维解析模型中三角形的斜线斜率，将式3代入式5，得其在点Px,y,z处产生的磁感应强度dB1为式7，对式7在厚度h上的积分，并代入式8，得到永磁体中所有与l1平行的载流导体在点Px,y,z处产生的磁感应强度B1，如式9所示,其磁感应强度分量Bx、By、Bz分别为式10-12，在l1中存在关系式13-15，将其代入12式，有式16所示式16化简成标准积分形式，最终得到如式17所示的 定义均以坐标值x、y、z为自变量的函数记号F、F1、F2，为式18-20所示，且有式21-30所示系数，则如式31所示；依同理，计算永磁体中分别与2号和3号载流导体平行的所有载流导体在Px,y,z处产生的磁感应强度，根据磁场叠加原理即得到Bz，Bx、By的解析遵循Bz步骤即可；则三角形永磁体的三维分子环流模型的外部空间磁场由式32-34描述： y0＝k1x0+b13 dz0＝014 dy0＝k1dx015 上述式21-30中，Tij和Hi是由前述参数推导而得的系数，i＝1到3，j＝1到3； 上述式32-34中，是一个系数，k1、k2和k3分别为二维解析模型中三角形斜线的斜率；b为第一条斜线的偏置值。

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