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龙图腾网获悉芜湖华沅微电子有限公司申请的专利一种驱动MOSFET的电路结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115694457B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211171908.X，技术领域涉及：H03K17/687；该发明授权一种驱动MOSFET的电路结构是由梁鹏;钱鑫设计研发完成，并于2022-09-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种驱动MOSFET的电路结构在说明书摘要公布了：本发明提供一种驱动MOSFET的电路结构，包括芯片电源，还包括有芯片，所述芯片内预设有如下结构，基准电压模块、电流检测、寄存器、选择开关、N型驱动结构和P型驱动结构，与只有一种驱动类型的电路结构相比，本发明可以直接驱动N型或者P型MOS，无需外部电路转化电平信号，与同时集成两种驱动电路结构的方案相比，本发明节约芯片管脚，并且内部在判断出外围MOSFET类型后，实际只有一个驱动结构在工作，节约芯片功耗，解决现有设备不增加外围成本且不增加芯片管脚的前提下，通过集成电路的内部结构设计，可以实现一个芯片管脚即可实现随意驱动N型和P型MOSFET的问题。

本发明授权一种驱动MOSFET的电路结构在权利要求书中公布了：1.一种驱动MOSFET的电路结构，包括芯片电源，其特征在于：还包括有芯片，所述芯片内预设有如下结构： 基准电压模块，供电后产生基准电压信号； 电流检测，用以检测基准电压信号的供电电流方向，并输出检测结果； 寄存器，与电流检测配合并接收其输出的检测结果，其中，寄存器将所述电流检测输出的检测结果与内设阈值比较并输出控制信号； 选择开关，受寄存器结构控制，并与基准电压模块电连接； N型驱动结构，为一种推挽结构，与选择开关电连接； P型驱动结构，为一种开路结构，与选择开关电连接； 所述电流检测依据基准电压信号的电流方向输出检测结果，其中基准电压信号的电流方向由所述芯片内部向外，则所述电流检测的检测结果输出至寄存器，该寄存器的数值修改为10，反之，则寄存器的数值修改为11； 所述寄存器的数值为10，则选择开关接通N型驱动结构，同时断开基准电压模块与P型驱动结构，所述寄存器的数值为11，则选择开关接通P型驱动结构，同时断开基准电压模块和N型驱动结构。

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