联华电子股份有限公司邱淳雅获国家专利权
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龙图腾网获悉联华电子股份有限公司申请的专利高压晶体管结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115706163B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110895424.9，技术领域涉及：H10D30/65；该发明授权高压晶体管结构及其制造方法是由邱淳雅;傅思逸;许智凯;陈金宏;许嘉榕;林毓翔设计研发完成，并于2021-08-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本高压晶体管结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种高压晶体管结构及其制造方法，其中该高压晶体管结构包括基底、第一漂移区、第二漂移区、第一盖层、第二盖层、栅极结构、第一源极漏极区与第二源极漏极区。第一漂移区与第二漂移区设置在基底中。第一盖层与第二盖层分别设置在第一漂移区与第二漂移区上。栅极结构设置在基底上，且位于至少一部分第一漂移区与至少一部分第二漂移区上方。第一源极漏极区与第二源极漏极区分别设置在第一漂移区与第二漂移区中，且位于栅极结构的两侧。第一漂移区的尺寸与第二漂移区的尺寸不对称。
本发明授权高压晶体管结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种高压晶体管结构，包括： 基底； 第一漂移区与第二漂移区，设置在所述基底中； 第一盖层与第二盖层，分别设置在所述第一漂移区与所述第二漂移区上； 栅极结构，设置在所述基底上，且位于至少一部分所述第一漂移区与至少一部分所述第二漂移区上方；以及 第一源极漏极区与第二源极漏极区，分别设置在所述第一漂移区与所述第二漂移区中，且位于所述栅极结构的两侧，其中 所述第一漂移区的尺寸与所述第二漂移区的尺寸不对称， 其中所述第一盖层的材料与所述第二盖层的材料分别包括未经掺杂的外延材料， 其中部分所述第一源极漏极区与部分所述第二源极漏极区分别位于所述第一盖层与所述第二盖层中。
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