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龙图腾网获悉南京微盟电子有限公司申请的专利一种简单低功耗低温漂电压基准源获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115756071B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211514674.4，技术领域涉及：G05F1/567；该发明授权一种简单低功耗低温漂电压基准源是由韩艳丽;马培;张洪俞设计研发完成，并于2022-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种简单低功耗低温漂电压基准源在说明书摘要公布了：本发明提供一种简单低功耗低温漂电压基准源，应用于电压基准源技术领域，包括放大电路，用于放大三极管一Q1、三极管二Q2的基极电压差；反馈电路，分别提供正反馈系数和负反馈系数；补偿模块，用于对负反馈环路进行补偿、拓展负反馈环路的带宽，提高电路稳定性；电流源I1，用于为三极管三Q3、电阻一R1和电阻二R2提供偏置电流，使三极管一Q1、三极管二Q2产生基极电压，所述电流源I1的正极与输入电压VCC连接，负极与基准电压VVREF的输出端连接；所述放大电路与反馈电路连接，所述反馈电路分别与补偿模块、基准电压的输出端连接。能够通过简单的电路结构得到功耗低且温度系数低的电压基准源。

本发明授权一种简单低功耗低温漂电压基准源在权利要求书中公布了：1.一种简单低功耗低温漂电压基准源，其特征在于，包括： 放大电路，用于放大三极管一Q1、三极管二Q2的基极电压差，所述放大电路包括MOS管一MP1、MOS管二MP2、三极管一Q1、三极管二Q2和电阻三R3； 所述MOS管一MP1的源极、MOS管二MP2的源极均与输入电压VCC连接，所述MOS管一MP1的漏极分别与MOS管一MP1的栅极、MOS管二MP2的栅极、三极管一Q1的集电极连接； 所述三极管一Q1的发射极分别与电阻三R3的一端、三极管二Q2的发射极连接，电阻三R3的另一端接地，所述三极管一Q1的基极连接于电阻一R1和电阻二R2之间的电路上； 所述三极管二Q2的基极连接于电阻一R1、三极管三Q3集电极之间的电路上，所述三极管二Q2的集电极与MOS管二MP2的漏极连接； 反馈电路，包括正反馈环路和负反馈环路，分别提供正反馈系数和负反馈系数，所述反馈电路包括MOS管三MP3、电阻一R1和电阻二R2；所述MOS管三MP3的源极与输入电压VCC连接，所述MOS管三MP3的栅极与MOS管二MP2的漏极、三极管二Q2的集电极连接，所述MOS管三MP3的漏极连接有依次串联的电阻二R2、电阻一R1和三极管三Q3，所述电阻一R1与三极管三Q3的基极、集电极连接，所述三极管三Q3的发射极接地； 补偿模块，用于对负反馈环路进行补偿、拓展负反馈环路的带宽，提高电路稳定性，所述补偿模块包括电容一C1和电阻四R4； 电流源I1，用于为三极管三Q3、电阻一R1和电阻二R2提供偏置电流，使三极管一Q1、三极管二Q2产生基极电压，所述电流源I1的正极与输入电压VCC连接，负极与基准电压的输出端连接； 所述放大电路与反馈电路连接，所述反馈电路分别与补偿模块、基准电压的输出端连接。

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