无锡华润微电子有限公司陈晓亮获国家专利权
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龙图腾网获悉无锡华润微电子有限公司申请的专利静电释放防护器件及其制造方法、半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115775796B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111050948.4，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权静电释放防护器件及其制造方法、半导体器件是由陈晓亮;陈天;钱忠健设计研发完成，并于2021-09-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本静电释放防护器件及其制造方法、半导体器件在说明书摘要公布了：本发明涉及一种静电释放防护器件及其制造方法、半导体器件，所述静电释放防护器件包括：衬底；绝缘层，设于衬底上；有源区层，设于绝缘层上，包括第二导电类型阱区、源极区及漏极区，源极区和漏极区设于第二导电类型阱区中；栅极，设于源极区和漏极区之间的第二导电类型阱区上；介质层，设于栅极和有源区层上；第一金属互联，设于介质层上；其中，第一金属互联与栅极之间设有第一接触孔、与源极区之间设有第二接触孔、与衬底之间设有第三接触孔。本发明通过为源端增加一条新的连接至衬底的通路，在ESD防护结构工作时，可以形成有效的ESD电流释放通路，防止热量在硅膜中过度积累，有效提升了ESD防护能力。
本发明授权静电释放防护器件及其制造方法、半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种静电释放防护器件，其特征在于，包括： 衬底，具有第一导电类型； 绝缘层，设于所述衬底上； 有源区层，设于所述绝缘层上，包括源极区、漏极区及第二导电类型阱区，所述源极区和漏极区设于所述第二导电类型阱区中，所述源极区和漏极区具有第一导电类型； 栅极，设于所述第二导电类型阱区位于所述源极区和漏极区之间的结构的上方； 介质层，设于所述栅极和有源区层上； 第一金属互联，设于所述介质层上； 其中，所述第一金属互联与所述栅极之间设有第一接触孔、与所述源极区之间设有第二接触孔，所述第一接触孔和第二接触孔中填充导电材料以实现所述第一金属互联与栅极的电连接、以及所述第一金属互联与所述源极区的电连接，所述静电释放防护器件还设有从所述第一金属互联底部向下贯穿至所述衬底的第三接触孔，所述第三接触孔中填充导电材料以实现所述第一金属互联与所述衬底的电连接；所述第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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