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龙图腾网获悉华中科技大学;湖北江城实验室申请的专利一种免电激活的NiFe2O4阻变存储器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115802881B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211578911.3，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权一种免电激活的NiFe2O4阻变存储器及其制备方法是由程伟明;周邦达;苏睿;缪向水设计研发完成，并于2022-12-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种免电激活的NiFe2O4阻变存储器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于存储器技术领域，更具体地，涉及一种免电激活的NiFe2O4阻变存储器及其制备方法。本发明提供的一种免电激活的NiFe2O4阻变存储器，包括自下而上设置的下电极层、阻变层和顶电极层；其中：下电极层为SrRuO3薄膜层；阻变层为NiFe2O4薄膜层。本发明中NiFe2O4薄膜层靠近SrRuO3薄膜层一侧其结构中氧空位浓度高，使得NiFe2O4薄膜层靠近所述SrRuO3薄膜层一侧呈非晶态，NiFe2O4薄膜层靠近顶电极一侧的氧空位浓度较少，使得NiFe2O4薄膜层靠近顶电极一侧呈晶态，阻变层整体含有大量氧空位，使得器件初阻即为低阻态，在使用时无需电激活过程且操作功耗低。

本发明授权一种免电激活的NiFe2O4阻变存储器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种免电激活的NiFe2O4阻变存储器，其特征在于，包括自下而上设置的下电极层、阻变层和顶电极层；其中： 所述下电极层为SrRuO3薄膜层；所述SrRuO3薄膜层的厚度为40-60nm 所述阻变层为NiFe2O4薄膜层；所述NiFe2O4的薄膜层的厚度为10-40nm； 所述顶电极层为Pt、Au或TiN； 所述的阻变存储器的制备方法，包括如下步骤： 1在衬底上沉积制备下电极层SrRuO3薄膜层；其沉积工艺条件包括：温度为650～700oC，腔体气氛为氧气，气压为10～15Pa； 2在所述SrRuO3薄膜层上沉积制备阻变层NiFe2O4薄膜层；其沉积工艺条件包括：温度为600～700oC，腔体气氛为氧气，气压为3～10Pa； 3对所述NiFe2O4薄膜层进行光刻显影，在显影后的NiFe2O4薄膜层上沉积制备顶电极； 所述NiFe2O4薄膜层靠近所述SrRuO3薄膜层一侧其结构中氧空位浓度高，使得NiFe2O4薄膜层靠近所述SrRuO3薄膜层一侧呈非晶态，NiFe2O4薄膜层靠近所述顶电极一侧的氧空位浓度较少，使得NiFe2O4薄膜层靠近所述顶电极一侧呈晶态；所述NiFe2O4薄膜层中的氧空位浓度自靠近所述SrRuO3薄膜层一侧向靠近所述顶电极一侧呈逐渐减少趋势，使得该阻变存储器的初阻即为低阻态，在使用时无需电激活过程且降低了操作功耗。

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