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龙图腾网获悉安徽大学申请的专利存储电路、具有BCAM寻址和逻辑运算功能的存内计算电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115810374B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211499158.9，技术领域涉及：G11C7/06；该发明授权存储电路、具有BCAM寻址和逻辑运算功能的存内计算电路是由李鑫;王瑞璇;戴成虎;彭春雨;蔺智挺;吴秀龙设计研发完成，并于2022-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本存储电路、具有BCAM寻址和逻辑运算功能的存内计算电路在说明书摘要公布了：本发明涉及静态随机存储器技术领域，特别是涉及存储电路、具有BCAM寻址和逻辑运算功能的存内计算电路。该存储电路包括NMOS管N1～N5以及PMOS管P0～P1；其中，N1～N4和P0～P1构成6T‑SRAM单元，N5连接在6T‑SRAM单元任意一个存储节点对应的两个MOS管之间，且N5的栅极受控制信号线EN控制。本发明设计的存储电路和传统的6T‑SRAM相比，增加了一个晶体管，用于将读端口与存储节点隔离，进而改善了6T结构的读破坏问题。同时相较于传统的读写分离的8T‑SRAM，少了一个晶体管，在面积上占有更大优势。

本发明授权存储电路、具有BCAM寻址和逻辑运算功能的存内计算电路在权利要求书中公布了：1.一种存储电路，其特征在于，其包括NMOS管N1~N5以及PMOS管P1~P2；其中，N1~N4和P1~P2构成6T-SRAM单元，N5连接在所述6T-SRAM单元任意一个存储节点对应的两个MOS管之间，且N5的栅极受控制信号线EN控制；所述存储电路的具体连接方式如下： N1的栅极与N2的漏极、N4的漏极、P1的栅极电连接；N1的漏极与N3的漏极、N5的源极电连接；N1的源极与N2的源极接GND；P2的栅极与P1的漏极、N2的栅极、N5的漏极电连接；P2的漏极与N1的栅极、N2的漏极、N4的漏极、P1的栅极电连接；P1的源极与P2的源极接VDD；N3的栅极接右字线WLR，N4的栅极接左字线WLL，N5的栅极与外部控制信号线EN电连接；N3的源极接位线BLB，N4的源极接位线BL； 其中，P2和N2构成反相器，N3、N4构成所述存储电路的传输管；存储节点Q通过N4与位线BL相连，存储节点QB通过N5、N3与位线BLB相连； 所述存储电路实现SRAM模式包括保持操作、写操作和读操作；所述存储电路执行保持操作时，控制信号线EN保持高电平，左字线WLL、右字线WLR保持低电平，P1、P2、N1、N2、N5构成的锁存结构对存储节点Q、QB的存储数据进行锁存；所述存储电路执行写操作时，控制信号线EN保持高电平，左字线WLL、右字线WLR被拉为高电平，同时将需要写入的数据加载到位线上；所述存储电路执行读操作时，位线BLB预充至高电平，控制信号线EN为低电平，左字线WLL被拉低，右字线WLR保持高电平，经过灵敏放大器SA读取结果。

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