东南大学王俊嘉获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉东南大学申请的专利一种水转移铁电薄膜硅基波导调制器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115826274B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211319493.6，技术领域涉及：G02F1/03；该发明授权一种水转移铁电薄膜硅基波导调制器是由王俊嘉;陶梦雪;董国华设计研发完成，并于2022-10-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种水转移铁电薄膜硅基波导调制器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种水转移铁电薄膜硅基波导调制器。以钛酸钡材料为例，水转移法是通过将生长的铝酸锶钛酸锶异质结浸入去离子水中溶解铝酸锶层以获得钛酸钡层，再转移到硅基波导调制器上。目前已有的钛酸钡硅基波导调制器多是基于在氧化层钛酸锶上外延沉积钛酸钡的方法制备钛酸钡，对比于现有的氧化缓冲层制备钛酸钡薄膜的方法，采用水转移的方法可以制备得到具良好铁电性和外延性、优异的柔韧性的高质量钛酸钡薄膜并使其无损转移到衬底上。发明中列举一个钛酸钡电光硅基波导调制器的实施例，可以发现，采用水转移方法制备的钛酸钡用于硅基波导调制器中可以得到具有优异电光性能的调制器，证明了水转移钛酸钡方法用于调制的可行性和高效性。
本发明授权一种水转移铁电薄膜硅基波导调制器在权利要求书中公布了：1.一种水转移铁电薄膜硅基波导调制器，其特征在于该调制器包括硅基底1、埋层氧化层2、硅波导3、铁电薄膜层4和电极5；其中，在硅基底1的上面设有埋层氧化层2，在埋层氧化层2中设有硅波导3，在埋层氧化层2和硅波导3的上面设有铁电薄膜层4，在铁电薄膜层4的上面设有电极5；所述的电极5有并排的三个，中间的一个电极5位于硅波导3中段的马赫-曾德尔干涉仪MZI结构的中间的上方，放置在铁电薄膜层4上；两边的电极5关于硅波导3左右对称放置在铁电薄膜层4上； 所述的硅波导3的中段为马赫-曾德尔干涉仪MZI结构，硅波导3的两端分别为一段直波导结构对称位于所述马赫-曾德尔干涉仪MZI结构两端； 所述铁电薄膜层4的材质为钛酸钡，具有高电光系数。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人东南大学，其通讯地址为：210000 江苏省南京市江宁区东南大学路2号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励