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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种采用选择性外延工艺的GaN HEMT器件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115831744B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211402574.2，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种采用选择性外延工艺的GaN HEMT器件的制造方法是由罗小蓉;赵智家;魏杰;谢欣桐;孙涛;邓思宇;贾艳江;薛刚设计研发完成，并于2022-11-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种采用选择性外延工艺的GaN HEMT器件的制造方法在说明书摘要公布了：本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种采用选择性外延工艺的GaNHEMT器件的制造方法。该制造方法中，先在Uid‑GaN层上外延介质并结合光刻、刻蚀工艺形成介质硬掩膜，在此结构上选择性外延生长P‑GaN层和P++‑GaN层，不仅实现了P‑GaN栅结构，而且为B电极欧姆接触的形成提供了条件，最后实现具有极化结的增强型器件。相较于利用部分或全部刻蚀P‑GaN层来实现极化结和增强型的技术，本发明采用选择性外延工艺，避免了刻蚀工艺引入的晶格损伤，降低界面态密度，减少了其对2DEG迁移率的影响。

本发明授权一种采用选择性外延工艺的GaN HEMT器件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种采用选择性外延工艺的GaNHEMT器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1：制备衬底1，在衬底上外延GaN缓冲层2，在GaN缓冲层2上外延GaN沟道层3，在GaN沟道层3上外延AlGaN势垒层4，在AlGaN势垒层4上外延Uid-GaN层5； 步骤2：采用化学气相淀积工艺，在Uid-GaN层5上淀积介质并进行光刻，将介质的中部刻蚀掉从而在Uid-GaN层5上表面的两端形成硬掩膜61，定义下一步外延生长P-GaN层7的位置； 步骤3：采用金属有机化学气相淀积工艺，外延P-GaN层7，在器件纵向方向上，P-GaN层7的上表面低于硬掩膜61的上表面； 步骤4：去除硬掩膜61，其上的P-GaN被一同去除，实现在Uid-GaN层5上选择性外延P-GaN层7； 步骤5：采用化学气相淀积工艺，在Uid-GaN层5和P-GaN层7上淀积介质并进行光刻，将介质中间间隔的两部分刻蚀掉，从而在Uid-GaN层5上表面的左端、Uid-GaN层5上表面的中部且与P-GaN层7的左端接触和Uid-GaN层5上表面的右端且延伸到P-GaN层7的上表面，分三部分形成硬掩膜62，定义下一步外延生长P++-GaN层8的位置； 步骤6：采用金属有机化学气相淀积工艺，先外延P++-GaN层8，后原位生长钝化层9，在器件纵向方向上，钝化层9的上表面低于硬掩膜62的上表面； 步骤7：去除硬掩膜62，其上的P++-GaN与钝化层被一同去除，实现在Uid-GaN层5和P-GaN层7上选择性外延P++-GaN层8； 步骤8：淀积形成源极10和漏极11欧姆接触的材料，采用剥离工艺并进行退火，在器件两端形成源极10和漏极11； 步骤9：采用刻蚀工艺，将靠近漏极11的P++-GaN层8上的钝化层9全部刻蚀掉，同时将靠近源极10的钝化层9的中部刻蚀掉从而露出P++-GaN层8； 步骤10：在靠近漏极11的P++-GaN层8上形成B电极12，在靠近源极10的P++-GaN层8上形成栅极13。

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