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龙图腾网获悉北京理工大学申请的专利一种基于虚拟和差阵概念的补充互质阵设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115906376B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111173695.X，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权一种基于虚拟和差阵概念的补充互质阵设计方法是由王卫江;任仕伟;彭喆设计研发完成，并于2021-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于虚拟和差阵概念的补充互质阵设计方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于虚拟和差阵概念的补充互质阵设计方法。该方法首先将传统互质阵中的部分传感器移除以降低冗余。之后用这些移除的传感器构造一个补充子阵，使其虚拟和差阵具有大范围连续段，进而获得自由度的提升，同时严格限制了有小间隔的传感器对数量，减轻互耦影响。其实现步骤是：计算阵元间距基本单元，确定阵元数和阵元间隔参数，根据解析式确定阵元的物理位置。本发明可以在相同阵元数的条件下，有效增大虚拟和差阵的自由度，降低互耦效应，提高波达方向的估计精度，提高空间目标探测能力，减少阵列运行成本。

本发明授权一种基于虚拟和差阵概念的补充互质阵设计方法在权利要求书中公布了：1.一种基于虚拟和差阵概念的补充互质阵设计方法，其特征在于，包括以下步骤： 1用d表示阵元间距的基本单元，将其取为半波长，即d＝λ2，λ表示阵列入射信号的波长； 2根据阵列给定的总阵元数R，选取两个互质整数M和N作为阵列参数，满足R＝2M+N-1，其中NM≥3； 3构造一个传统互质阵，它由两个均匀线性子阵组成，第一个子阵有N个元素间间隔为Md的传感器，记为第二个子阵有2M个元素间间隔为Nd的传感器，记为两个子阵共用位于位置0处的传感器； 4从第二个子阵中移除个不重要传感器，它们位于第二个子阵的剩余传感器记为 5用步骤4中移除的不重要传感器构造一个补充子阵，记为 6得到的补充互质阵被定义为利用它的阵元生成虚拟和差共阵； 首先，虚拟差阵的位置可以通过计算获得； 其次，虚拟和阵的位置可以通过计算获得； 最后，虚拟和差共阵由虚拟差阵和虚拟和阵的并集构成，记为 7找到虚拟和差阵的最大连续段[-Lud,Lud]，即可得到阵列自由度Lu；利用这个虚拟连续均匀线阵，可执行各类基于子空间分解的波达方向估计算法，对空间信号的来波方向进行准确估计。

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