买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉哈尔滨工业大学申请的专利晶体管界面态模型的优化方法、计算设备及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115906447B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211404864.0，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权晶体管界面态模型的优化方法、计算设备及存储介质是由李兴冀;杨剑群;应涛;魏亚东设计研发完成，并于2022-11-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本晶体管界面态模型的优化方法、计算设备及存储介质在说明书摘要公布了：本发明提供了一种晶体管界面态模型的优化方法、计算设备及存储介质。本方法包括：构建晶体管界面态模型；若缺陷类型为受主型缺陷；根据受主型电离概率模型计算出被电离的受主型界面态缺陷浓度；将受主型界面态缺陷浓度加入到泊松方程中得到受主型泊松方程；利用受主型泊松方程替代泊松方程，得到受主型晶体管界面态优化模型；若缺陷类型为施主型缺陷；根据施主型电离概率模型计算出被电离的施主型界面态缺陷浓度；将施主型界面态缺陷浓度加入到泊松方程中得到施主型泊松方程；利用施主型泊松方程替代泊松方程，得到施主型晶体管界面态优化模型。本方案的有益效果是：优化了晶体管界面态模型，利用本优化模型得到的基极电流仿真结果更准确。

本发明授权晶体管界面态模型的优化方法、计算设备及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种晶体管界面态模型的优化方法，其特征在于，包括： 构建晶体管界面态模型，所述晶体管界面态模型包括泊松方程； 获取晶体管界面态的缺陷类型，所述缺陷类型包括受主型缺陷和施主型缺陷； 若所述缺陷类型为所述受主型缺陷；构建受主型电离概率模型；根据所述受主型电离概率模型计算出被电离的受主型界面态缺陷浓度；将所述受主型界面态缺陷浓度加入到所述泊松方程中得到受主型泊松方程；利用所述受主型泊松方程替代所述泊松方程，得到受主型晶体管界面态优化模型； 若所述缺陷类型为所述施主型缺陷；构建施主型电离概率模型；根据所述施主型电离概率模型计算出被电离的施主型界面态缺陷浓度；将所述施主型界面态缺陷浓度加入到所述泊松方程中得到施主型泊松方程；利用所述施主型泊松方程替代所述泊松方程，得到施主型晶体管界面态优化模型； 所述构建晶体管界面态模型包括：根据第一公式构建所述泊松方程，其中所述第一公式包括： ； 其中，为静电势，为相对介电常数，为空间电荷密度； 所述根据所述受主型电离概率模型计算出被电离的受主型界面态缺陷浓度，包括：根据第六公式计算所述受主型界面缺陷浓度，其中所述第六公式包括： ； 其中，为所述受主型界面缺陷浓度，为受主型电离概率，为缺陷陷阱浓度； 所述根据所述施主型电离概率模型计算出被电离的施主型界面态缺陷浓度，包括：根据第九公式计算所述施主型界面缺陷浓度，其中所述第九公式包括： ； 其中，为所述施主型界面缺陷浓度，为所述施主型电离概率，为缺陷陷阱浓度； 所述将所述受主型界面态缺陷浓度加入到所述泊松方程中得到受主型泊松方程，包括：根据第十公式将所述受主型界面态缺陷浓度加入到所述泊松方程中得到受主型泊松方程，其中所述第十公式包括： ； 其中，为静电势，为相对介电常数，为空间电荷密度，为所述受主型界面缺陷浓度； 所述将所述施主型界面态缺陷浓度加入到所述泊松方程中得到施主型泊松方程，包括：根据第十一公式将所述施主型界面态缺陷浓度加入到所述泊松方程中得到施主型泊松方程，其中所述第十一公式包括： ； 其中，为静电势，为相对介电常数，为空间电荷密度，。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人哈尔滨工业大学，其通讯地址为：150000 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。