爱思开海力士有限公司金宗洙获国家专利权
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龙图腾网获悉爱思开海力士有限公司申请的专利检测半导体芯片中的裂纹的装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115932024B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210207924.3,技术领域涉及:G01N27/61;该发明授权检测半导体芯片中的裂纹的装置是由金宗洙;朴先柱设计研发完成,并于2022-03-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本检测半导体芯片中的裂纹的装置在说明书摘要公布了:公开了一种用于检测半导体芯片的裂纹的装置,该装置可以包括裂纹传感器,所述裂纹传感器包括:充电图案,设置在要检测其中的裂纹的目标层的第一表面上;电荷吸收图案,设置在目标层的第二表面上,以及连接图案,将充电图案电连接到电荷吸收图案。用于检测裂纹的装置还可以包括:充电器,其用于向充电图案充入电荷;图像检测器,其用于获得充电图案的图像;以及确定单元,其从充电图案的图像检测变色的充电图案以及确定在目标层的变色的充电图案所在的部分中已经出现裂纹。
本发明授权检测半导体芯片中的裂纹的装置在权利要求书中公布了:1.一种用于检测裂纹的装置,包括: 目标层; 充电图案,其设置在所述目标层的第一表面上; 电荷吸收图案,其设置在所述目标层的与所述第一表面相对的第二表面上; 连接图案,其将所述充电图案电连接到所述电荷吸收图案; 充电器,其用于向所述充电图案充入电荷; 图像检测器,其用于获得其中充入所述电荷的所述充电图案的图像;以及 确定单元,其从所述充电图案的图像检测所述充电图案中的至少一个的颜色变化,以及确定在所述目标层的具有所检测到的颜色变化的充电图案所在的部分中已出现裂纹; 其中,所述充电图案和所述连接图案设置在半导体衬底的边缘与芯片区域之间。
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