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龙图腾网获悉杭州富芯半导体有限公司申请的专利离子注入工艺中光阻参数的确定方法、装置及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115938922B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211681194.7，技术领域涉及：H10P30/20；该发明授权离子注入工艺中光阻参数的确定方法、装置及存储介质是由苏文华;李涵设计研发完成，并于2022-12-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本离子注入工艺中光阻参数的确定方法、装置及存储介质在说明书摘要公布了：本申请提供了离子注入工艺中光阻参数的确定方法、装置及存储介质；所述方法包括：确定光阻的高度、离子注入的角度和离子注入的深度；基于所述光阻的高度和所述离子注入的角度，确定未注入离子的区域的第一宽度；基于所述离子注入的角度和所述离子注入的深度，确定过注入离子的区域的第二宽度；基于所述第一宽度和所述第二宽度确定所述光阻在待执行离子注入的结构中的位置。

本发明授权离子注入工艺中光阻参数的确定方法、装置及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种离子注入工艺中光阻参数的确定方法，其特征在于，所述方法包括： 确定光阻的高度、离子注入的角度和离子注入的深度； 基于所述光阻的高度和所述离子注入的角度，确定阻挡离子注入的区域的第一宽度； 基于所述离子注入的角度和所述离子注入的深度，确定过注入离子的区域的第二宽度； 基于所述第一宽度和所述第二宽度确定所述光阻在待执行离子注入的结构中的目标位置； 所述基于所述光阻的高度和所述离子注入的角度，确定阻挡离子注入的区域的第一宽度包括： 计算所述离子注入的角度的正切值与所述光阻的高度的乘积； 将所述离子注入的角度的正切值与所述光阻的高度的乘积确定为所述第一宽度； 其中，所述离子注入的角度为离子注入的方向与离子注入的结构表面的法线方向的夹角； 所述基于所述离子输入的角度和所述离子注入的深度，确定过注入离子的区域的第二宽度包括： 计算所述离子注入的角度的正切值与所述离子注入的深度的乘积； 将所述离子注入的角度的正切值与所述离子注入的深度的乘积确定为所述第二宽度； 所述基于所述第一宽度和所述第二宽度确定所述光阻在待执行离子注入的结构中的目标位置，包括： 确定所述光阻在水平方向上的目标第一坐标为所述光阻在水平方向上的预设第一坐标与所述第二宽度之差； 确定所述光阻在水平方向上的目标第二坐标为所述预设第一坐标与所述光阻的预设宽度相加得到的值与所述第一宽度之差。

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