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龙图腾网获悉珠海妙存科技有限公司申请的专利nand flash掉电测试装置、掉电测试方法及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115954042B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211639011.5，技术领域涉及：G11C29/56；该发明授权nand flash掉电测试装置、掉电测试方法及存储介质是由胡鸿源;贺乐;赖鼐设计研发完成，并于2022-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本nand flash掉电测试装置、掉电测试方法及存储介质在说明书摘要公布了：本申请公开一种nandflash掉电测试装置、掉电测试方法及存储介质，其中，掉电测试装置包括作为掉电测试对象的Device设备和作为掉电测试机的Host设备，Device设备包括NANDFlash模组；Host设备连接NANDFlash模组，Host设备用于在rawNAND的情况下，向rawNAND发送第一驱动命令以控制rawNAND中目标物理block和或目标page进行掉电测试；在包含闪存控制器的NAND芯片的情况下，向NAND芯片的闪存控制器发送第一指示命令以指示闪存控制器确定目标物理block和或目标page进行掉电测试，从而提升掉电测试的命中概率以及测试效率。

本发明授权nand flash掉电测试装置、掉电测试方法及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种nandflash掉电测试装置，其特征在于，包括： 作为掉电测试对象的Device设备，包括NANDFlash模组； 作为掉电测试机的Host设备，连接所述NANDFlash模组，所述Host设备用于： 在所述NANDFlash模组为rawNAND的情况下，向所述rawNAND发送第一驱动命令，以控制所述rawNAND中目标物理block和或目标page的掉电场景和掉电时机； 在所述NANDFlash模组为包含闪存控制器的NAND芯片的情况下，向所述NAND芯片的闪存控制器发送第一指示命令，以指示所述闪存控制器确定目标物理block和或目标page的掉电场景和掉电时机； 其中，所述第一驱动命令和所述第一指示命令均通过掉电测试用例设置预设掉电时机和目标物理block和或目标page的地址；所述预设掉电时机为所述NANDFlash模组处于编程操作的busy状态的时刻，或者为所述NANDFlash模组处于编程操作的busy状态并延时一段时间的时刻。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人珠海妙存科技有限公司，其通讯地址为：519000 广东省珠海市横琴新区环岛北路2515号2单元2001；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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