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龙图腾网获悉无锡市华辰芯光半导体科技有限公司申请的专利一种高可靠半导体激光芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115986550B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310036277.9，技术领域涉及：H01S5/02；该发明授权一种高可靠半导体激光芯片是由李明欣;朱霞;杨惠婷;李宁设计研发完成，并于2023-01-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高可靠半导体激光芯片在说明书摘要公布了：本发明涉及芯片领域，具体涉及一种高可靠半导体激光芯片，用于解决现有的半导体激光芯片的耐热导热性能不佳的问题；该高可靠基底由高可靠树脂、氮化硅为主要原料，高可靠树脂具有良好的耐高温性能，向其中加入氮化硅后不仅提升高可靠树脂的力学性能，还能有效的提升其导热性能，使得制备得到高可靠半导体激光芯片的耐高温性能和导热性能优良，能够快速的将芯片工作时产生的热量导出，避免芯片受损，而且提高其耐热性能后使得芯片工作时产生的热量不足以使得芯片变形，能够使得芯片能够保持长效高性能，提高其可靠性。

本发明授权一种高可靠半导体激光芯片在权利要求书中公布了：1.一种高可靠半导体激光芯片，其特征在于，包括高可靠基底和高可靠基底上的集成电路； 该高可靠半导体激光芯片由以下步骤制备得到： 步骤一：按照重量份称取高可靠树脂80-100份、氮化硅7-13份、硬脂酸钙2-4份、偶联剂1-6份、抗氧剂1-3份，备用； 步骤二：将高可靠树脂、氮化硅、硬脂酸钙、偶联剂、抗氧剂加入至混合机中，在温度为35-55℃，搅拌速率为1000-1500rmin的条件下搅拌混合1-3h，得到混合料； 步骤三：将混合料加入至挤出机中熔融挤出，经过定型，裁切，得到高可靠基底； 步骤四：将光刻胶旋涂在高可靠基底的表面上，之后进行UV曝光，之后加入至显影液中，取出后进行刻蚀圆孔，之后在圆孔里溅射镍； 步骤五：将溅射的镍和集成电路完好互联，得到高可靠半导体激光芯片； 所述高可靠树脂由以下步骤制备得到： S1：将2-甲氧基对苯二酚、4,4'-二氟二苯砜、无水碳酸钾、甲苯以及环丁砜加入至安装有搅拌器、温度计以及回流冷凝管的三口烧瓶中，在温度为20-25℃，400-500rmin的条件下搅拌10-15min，之后边搅拌边升温至回流，控制升温速率为2-3℃min，之后继续搅拌反应4-5h，之后升温至170-175℃的条件下继续搅拌反应8-10h，反应结束后将反应产物冷却至50℃以下，之后加入至蒸馏水中，析出沉淀，之后真空抽滤，将滤饼依次用蒸馏水和无水乙醇洗涤3-5次，之后放置于真空干燥箱中，在温度为50-60℃的条件下干燥3-4h，得到中间体1； S2：将中间体1、二氯甲烷加入至安装有搅拌器、温度计、导气管以及恒压滴液漏斗的三口烧瓶中，通入氮气保护，在温度为-20℃，搅拌速率为400-500rmin的条件下边搅拌边逐滴加入三溴化硼溶液，控制滴加速率为1-2滴s，滴加完毕后升温至30-35℃的条件下继续搅拌反应12-16h，反应结束后将反应产物加入至无水乙醇中，之后真空抽滤，将滤饼依次用蒸馏水和无水乙醇洗涤3-5次，之后放置于真空干燥箱中，在温度为100-110℃的条件下干燥20-30h，得到中间体2； S3：将中间体2、对甲基苯磺酸以及二氯甲烷加入至安装有搅拌器、温度计、导气管以及回流冷凝管的三口烧瓶中，通入氮气保护，在温度为20-25℃，搅拌速率为400-500rmin的条件下搅拌20-30min，之后加入全氟辛酸继续搅拌20-30min，之后边搅拌边升温至回流，控制升温速率为2-3℃min，之后继续搅拌反应8-12h，反应结束后将反应产物冷却至室温，之后真空抽滤，将滤饼用无水乙醚洗涤3-5次，之后放置于真空干燥箱中，在温度为50-60℃的条件下干燥8-10h，得到高可靠树脂。

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