东京毅力科创株式会社三浦知久获国家专利权
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龙图腾网获悉东京毅力科创株式会社申请的专利基片处理方法和基片处理装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115995406B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211232993.6，技术领域涉及：H10P72/00；该发明授权基片处理方法和基片处理装置是由三浦知久;菅原武;安倍雅俊;植松治志;宇贺神肇设计研发完成，并于2022-10-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本基片处理方法和基片处理装置在说明书摘要公布了：本发明提供一种基片处理方法和基片处理装置，其能够使基片的处理中的除静电处理优化。基片处理装置的基片处理方法，包括：从对基片实施等离子体处理和除静电处理的处理模块将所述基片送出，并将该基片输送到能够在大气气氛和真空气氛之间切换的负载锁定部的步骤；在所述负载锁定部测量所述基片的带电状态的步骤；和对所述基片的带电状态的测量结果进行分析来使所述除静电处理优化的步骤。
本发明授权基片处理方法和基片处理装置在权利要求书中公布了：1.一种基片处理装置的基片处理方法，其特征在于，包括： 从对基片实施等离子体处理和除静电处理的处理模块中将所述基片送出，并将该基片输送到能够在大气气氛与真空气氛之间切换的负载锁定部的步骤； 在所述负载锁定部测量所述基片的带电状态的步骤；和 对所述基片的带电状态的测量结果进行分析来使所述除静电处理优化的步骤， 所述负载锁定部具有对输送来的所述基片进行支承的支承部， 包括在所述处理模块与所述负载锁定部之间输送所述基片的输送装置， 所述输送装置中与所述基片接触的接触件和所述支承部中与所述基片接触的支承件分别具有导电性， 在测量所述基片的带电状态的步骤中，利用设置于所述负载锁定部的带电测量部测量被所述支承部支承着的所述基片的表面电位， 在使所述除静电处理优化的步骤中，基于由所述支承部支承的所述基片的带电状态、和在所述负载锁定部的内部由所述输送装置输送中的所述基片的带电状态的测量结果，推算所述接触件和所述支承件的所述导电性的劣化。
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