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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第二十四研究所申请的专利一种单粒子效应敏感区域确定方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116029184B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310166000.8，技术领域涉及：G06F30/25；该发明授权一种单粒子效应敏感区域确定方法及系统是由魏佳男;张培健;徐学良;傅婧;陈仙;易孝辉;谭开洲;洪敏设计研发完成，并于2023-02-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种单粒子效应敏感区域确定方法及系统在说明书摘要公布了：本发明提供一种单粒子效应敏感区域确定方法及系统，该方法包括：利用重离子微束对待测半导体器件进行逐点扫描，根据逐点扫描结果绘制单粒子效应敏感区域平面图；再基于单粒子效应敏感区域平面图计算单粒子效应敏感区域的表面积，同时获取预先或实时基于待测半导体器件构建的三维数值仿真模型，并基于三维数值仿真模型确定出单粒子效应敏感区域的深度；最后将单粒子效应敏感区域的表面积和深度进行结合，得到待测半导体器件的单粒子效应敏感区域。由此可知，本发明可以确定出待测半导体的单粒子效应敏感区域表面积和深度。本发明通过数值仿真方法缓解了重离子实验机时短缺、费用昂贵的问题，大幅提高实验效率，节约了实验成本。

本发明授权一种单粒子效应敏感区域确定方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种单粒子效应敏感区域确定方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤： 利用重离子微束对待测半导体器件进行逐点扫描，并根据逐点扫描结果绘制单粒子效应敏感区域平面图；其中，所述待测半导体器件包括：管芯裸露以及通过电学参数测试的半导体器件； 基于所述单粒子效应敏感区域平面图计算单粒子效应敏感区域的表面积； 获取预先或实时基于所述待测半导体器件构建的三维数值仿真模型，并基于所述三维数值仿真模型确定出单粒子效应敏感区域的深度； 将所述单粒子效应敏感区域的表面积和深度进行结合，得到所述待测半导体器件的单粒子效应敏感区域； 基于所述三维数值仿真模型确定出单粒子效应敏感区域的深度的过程包括： 利用所述待测半导体的电学参数测试结果对所述三维数值仿真模型进行校准，得到第一仿真模型； 对所述第一仿真模型进行单粒子效应数值仿真，并利用所述逐点扫描结果对完成单粒子效应数值仿真后的第一仿真模型进行校准，得到第二仿真模型； 在所述第二仿真模型中设置不同衬底厚度，得到第三仿真模型； 对所述第三仿真模型进行单粒子效应数值仿真，获取不同衬底厚度下的电荷收集量； 根据不同衬底厚度下的电荷收集量，绘制电荷收集量与衬底厚度的关系曲线，并从所述关系曲线中提取电荷收集量达到饱和时的衬底厚度值，作为单粒子效应敏感区域的深度。

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