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龙图腾网获悉济南金刚石科技有限公司申请的专利一种CVD多晶金刚石生长的籽晶排布方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116065234B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310073024.9，技术领域涉及：C30B25/18；该发明授权一种CVD多晶金刚石生长的籽晶排布方法是由刘长江;王希玮;王盛林;王勇;王笃福;王希江设计研发完成，并于2023-02-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种CVD多晶金刚石生长的籽晶排布方法在说明书摘要公布了：本发明涉及晶体生长技术领域，具体涉及一种CVD多晶金刚石生长的籽晶排布装置及方法。包括强电场涂覆装置，强电场涂覆装置包括上极板和下极板，上极板设置在下极板的正上方；在所述上极板的下表面固定带胶的CVD多晶金刚石外延衬底，在所述下极板的上表面设置非金属板；在下极板上连接静电高压发生器，上极板接地。将金刚石微粉和CVD多晶金刚石外延衬底放入强电场涂覆装置中，根据粒度匹配静电场强度，静电高压发生器电压5万‑12万伏特；氢化后的金刚石微粉在强静电场下形成偶极矩，在洛伦兹力作用下从下部被吸附到CVD多晶金刚石生长衬底上，在运动过程中实现锥形底面嵌入胶水中，尖端向外，实现籽晶排布均匀性和一致性；结构简单，设计合理。

本发明授权一种CVD多晶金刚石生长的籽晶排布方法在权利要求书中公布了：1.一种CVD多晶金刚石生长的籽晶排布方法，采用CVD多晶金刚石生长的籽晶排布装置实施，包括强电场涂覆装置，强电场涂覆装置包括上极板和下极板，上极板设置在下极板的正上方；在所述上极板的下表面固定CVD多晶金刚石外延衬底，在所述下极板的上表面设置非金属板；在下极板上连接静电高压发生器，上极板接地，其特征在于：方法步骤包括： S1：选择锥形或者相似带尖不规则金刚石微粉，微粉粒径0-50微米； S2：将金刚石微粉放入CVD设备中进行表面氢化处理； S3：处理过金刚石微粉通过共振法均匀摊铺在非金属板上，厚度10-300微米； S4：将CVD多晶金刚石外延衬底表面甩胶处理； S5：将金刚石微粉和CVD多晶金刚石外延衬底放入强电场涂覆装置中，根据粒度匹配静 电场强度，静电高压发生器电压5万-12万伏特；氢化后的金刚石微粉在强静电场下形成偶 极矩，在洛伦兹力作用下从下部被吸附到CVD多晶金刚石生长衬底上，通过匹配电场强度可实现金刚石晶种重量的进一步筛选，在运动过程中实现锥形底面嵌入胶水中，尖端向外，实现籽晶排布均匀性和一致性； S6：将CVD多晶金刚石外延衬底进行烘烤固化，固化温度为0-350摄氏度，时间2-5小时。

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